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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866983B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410848777.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法是由张苇杭;余龙;刘茜;樊昱彤;冯欣;吴银河;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层；i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与AlGaN层极化产生二维空穴气，层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层的正投影位于n‑‑GaN漂移层的正投影的第一区域，n‑‑GaN漂移层的正投影包括第一区域和第二区域；阳极，位于层叠设置的AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层上、并延伸至n‑‑GaN漂移层中；阳极的正投影与n‑‑GaN漂移层的正投影的第一区域和第二区域均交叠；阴极，位于n+‑GaN层上、且与n‑‑GaN漂移层间隔设置。本发明能够降低反向泄露电流，以及提高器件耐压。

本发明授权一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+-GaN层、n--GaN漂移层、AlGaN层、i-GaN层和p-GaN层；其中， 所述i-GaN层和所述p-GaN层组成的层叠结构与所述AlGaN层极化产生二维空穴气，沿垂直于所述衬底的方向，层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层的正投影位于所述n-GaN漂移层的正投影的第一区域，所述n-GaN漂移层的正投影包括第一区域和第二区域，所述第一区域环绕所述第二区域设置； 阳极，位于层叠设置的所述AlGaN层、所述i-GaN层和所述p-GaN层上、并延伸至所述n-GaN漂移层中；沿垂直于所述衬底的方向，所述阳极的正投影与所述n-GaN漂移层的正投影的第一区域和第二区域均交叠； 阴极，位于所述n-GaN层上、且与所述n-GaN漂移层间隔设置； 钝化层，覆盖在所述阳极、所述p-GaN层、所述i-GaN层、所述AlGaN层、所述n-GaN漂移层和所述阴极暴露的表面，所述钝化层包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述阳极，所述第二开口暴露出所述阴极。

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