西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院贾护军获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院申请的专利一种具有哑铃状沟道的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118825071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410822934.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种具有哑铃状沟道的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器是由贾护军;赵淋娜;苏琪钰;曹伟涛;杨万里;韦星语;曹震;杨银堂设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有哑铃状沟道的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器在说明书摘要公布了：一种具有哑铃状沟道的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括哑铃状沟道，哑铃状沟道中间凹陷处一侧设有源极，另一侧设有漏极，哑铃状沟道外侧凸起处分别对称设有栅极介质层，栅极介质层靠近源极的一侧设有生物分子探测腔，栅极介质层和生物分子探测腔外侧面设有栅极；本发明通过采用哑铃状沟道，源极和漏极放置在沟道的左上和右下两个对角处，增大了源极和沟道的接触面积，即增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的发生概率；并且源极和沟道的接触面与漏极和沟道形成的沟道面呈一定角度，利于载流子的运动，因此总上来说，增大了漏极电流，而且在灵敏度方面也展现出了显著优势，为生物传感领域带来了新的技术突破和应用前景。
本发明授权一种具有哑铃状沟道的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器在权利要求书中公布了：1.一种具有哑铃状沟道的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括哑铃状沟道1，其特征在于，哑铃状沟道1中间凹陷处一侧设有源极2，另一侧设有漏极3，哑铃状沟道1外侧凸起处分别对称设有栅极介质层4，栅极介质层4靠近源极2的一侧设有生物分子探测腔6，栅极介质层4和生物分子探测腔6外侧面设有栅极5。
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