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龙图腾网获悉陕西斯瑞新材料股份有限公司申请的专利一种半导体用CVD反应腔镜面加工方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118809089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410789114.2，技术领域涉及：B23P15/00；该发明授权一种半导体用CVD反应腔镜面加工方法及应用是由樊龙辉;杨平;刘锦慧;刘道同;张澳国;卞林设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体用CVD反应腔镜面加工方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体用CVD反应腔镜面结构加工方法及应用，方法包括：S1、选用H62黄铜锭作为原材料进行加热锻造，得到零件坯；S2、对零件坯进行粗车，粗车完成后对零件坯进行热处理，然后进行精车，得到CVD反应腔左室和CVD反应腔右室；S3、对CVD反应腔左室和CVD反应腔右室进行焊接处理，得到CVD反应腔初体；S4、对CVD反应腔初体进行抛磨、清洗，即可得到CVD反应腔镜面结构成品；上述加工方法在CVD反应腔镜面结构加工方面的应用；本发明的加工方法设计合理，提高了CVD反应腔加工效率以及使用效果，适宜推广使用。

本发明授权一种半导体用CVD反应腔镜面加工方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体用CVD反应腔镜面结构加工方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、锻造； 选用H62黄铜锭作为原材料进行加热锻造，将所述H62黄铜锭置入真空炉中加热至700～1250℃，然后进行10次锻造，将H62黄铜锭由φ200mm锻造至φ550mm的零件坯； 其中，锻造过程中，每锻造一次，对H62黄铜锭表面的氧化皮进行清理； S2、零件加工； S2-1、对步骤S1所得零件坯进行粗车，粗车完成后将零件坯在500～800℃温度条件下进行热处理； S2-2、对步骤S1-1粗车后的零件坯进行精车，精车过程分3～5次进刀，并控制每次的切削量为0.4～0.6mm；精车完成后得到CVD反应腔左室和CVD反应腔右室； S3、焊接 对步骤S2-2所得CVD反应腔左室和CVD反应腔右室进行焊接处理，得到CVD反应腔初体，然后对所述CVD反应腔初体进行矫形处理，使CVD反应腔初体内外径误差≦0.2mm； S4、表面处理； 对步骤S3矫形处理后的CVD反应腔初体进行抛磨，然后利用研磨膏研磨至CVD反应腔初体内壁表面粗糙度达到Ra0.5～0.8，最后对CVD反应腔初体进行清洗，即可得到CVD反应腔镜面结构成品； 步骤S1中，第1～4次锻造过程中，控制锻造速度为50～70mmin；第4～7次锻造过程中，控制锻造速度保持为150～200mmin；第7～10次锻造过程中，控制锻造速度保持为220～300mmin； 步骤S2-1中，粗车时对零件坯进行分层粗车，每层加工深度控制为5～10mm；步骤S2-2中，精车时刀具绕零件坯轴向同一高度所有点组成的等高环线逐层进行加工，控制每层的层距和切宽均为2～4mm。

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