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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种多狭缝高光谱数据重构处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118670518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410700116.X，技术领域涉及：G01J3/28；该发明授权一种多狭缝高光谱数据重构处理方法是由刘杰;张耿;李思远;王爽;张宁;张智南;张萧依;李娟;胡炳樑设计研发完成，并于2024-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多狭缝高光谱数据重构处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多狭缝高光谱数据处理方法，特别涉及一种多狭缝高光谱数据重构处理方法，解决了现有技术难以实时获取高精度的多狭缝高光谱重构后数据的问题。该方法包括步骤：步骤1：对多狭缝面阵数据进行暗电流校正；步骤2：相对辐射校正；步骤3：坏像元校正；步骤4：将其中一个狭缝定义为基准狭缝，将基准狭缝的坏像元校正后数据定义为基准狭缝高光谱数据；然后以基准狭缝高光谱数据为校正基准，对其余各狭缝的坏像元校正后数据分别进行横向像移误差校正；步骤5：光谱位置误差校正；步骤6：帧间误差校正，得到其余各狭缝的校正完成数据；步骤7：将其余各狭缝的校正完成数据与基准狭缝高光谱数据合并重构，得到多狭缝高光谱重构后数据。

本发明授权一种多狭缝高光谱数据重构处理方法在权利要求书中公布了：1.一种多狭缝高光谱数据重构处理方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：将多狭缝色散型高光谱成像系统中获取的多狭缝面阵数据减去暗电流校正系数，实现数据的暗电流校正，得到暗电流校正后数据；所述暗电流校正系数由测量得到； 步骤2：将步骤1中得到的暗电流校正后数据乘以相对辐射校正系数，实现数据的相对辐射校正，得到相对辐射校正后数据；所述相对辐射校正系数由测量得到； 步骤3：采用一维插值法，对步骤2中得到的相对辐射校正后数据进行坏像元校正，得到坏像元校正后数据； 步骤4：将多狭缝色散型高光谱成像系统中其中一个狭缝定义为基准狭缝，并将步骤3中得到的坏像元校正后数据中所述基准狭缝的坏像元校正后数据定义为基准狭缝高光谱数据；然后以基准狭缝高光谱数据为校正基准，采用行内插值方法对步骤3中得到的坏像元校正后数据中除基准狭缝以外的其余各狭缝的坏像元校正后数据分别进行横向像移误差校正，得到其余各狭缝的横向像移误差校正后数据； 步骤5：以步骤4中定义的基准狭缝高光谱数据为校正基准，采用行间插值方法对步骤4中得到的其余各狭缝的横向像移误差校正后数据分别进行光谱位置误差校正，得到其余各狭缝的光谱位置误差校正后数据； 步骤6：以步骤4中定义的基准狭缝高光谱数据为校正基准，采用帧间插值校正方法对步骤5中得到的其余各狭缝的光谱位置误差校正后数据分别进行帧间误差校正，得到其余各狭缝的校正完成数据； 步骤7：将步骤6中得到的其余各狭缝的校正完成数据与步骤4中定义的基准狭缝高光谱数据进行合并重构，得到多狭缝高光谱重构后数据，完成重构处理。

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