南方科技大学;合肥国家实验室吕宇婷获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学;合肥国家实验室申请的专利一种三维集成量子芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118647255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410577620.5，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权一种三维集成量子芯片及其制备方法是由吕宇婷;王昊;史可记;田振;贺煜设计研发完成，并于2024-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维集成量子芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种三维集成量子芯片及其制备方法，在封装后的扫描隧道显微镜氢掩膜直写精密器件的外延生长层表面制作用于定位的金属标记；通过扫描探针显微镜扫描金属标记，实现器件三维精确定位；生长栅氧化层后，在其上利用金属标记的定位作用进行写场套刻，制作顶电极、多层堆叠电极或硅通孔立体电极。本实施例所述制备方法，利用扫描探针显微镜实现了高精度的三维集成加工，为硅基半导体量子计算、量子模拟以及量子芯片等提供了重要技术支持。
本发明授权一种三维集成量子芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维集成量子芯片的制备方法，其特征在于，包括 在刻蚀有不同预设尺寸标记的硅衬底表面用扫描隧道显微镜直写出芯片结构核心部分和第一层电极图形； 对硅衬底表面上直写出的芯片结构的核心部分和第一层电极进行金属化，得到金属化后的器件； 对金属化后的器件进行封装； 利用扫描电子显微镜在器件的封装层表面上定位和套刻出金属标记； 利用扫描探针显微镜扫描带有所述金属标记的器件，得到扫描图像； 在表面带有所述金属标记的器件上生长栅氧化层； 利用扫描图像和所述金属标记在所述栅氧化层上套刻制作顶电极或者多层堆叠电极或者硅通孔立体电极，得到制备而成的三维集成量子芯片。
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