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拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司于成辉获国家专利权

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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利晶圆传输方法、传输系统、真空镀膜设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118639208B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311722742.0,技术领域涉及:C23C14/56;该发明授权晶圆传输方法、传输系统、真空镀膜设备及存储介质是由于成辉设计研发完成,并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

晶圆传输方法、传输系统、真空镀膜设备及存储介质在说明书摘要公布了:本发明提供了一种晶圆传输方法、一种晶圆传输系统、一种真空镀膜设备及一种计算机可读存储介质。所述晶圆传输方法包括以下步骤:获取反应腔室中的两个加热盘之间的第一间距及机械手承载晶圆的两个指部之间的第二间距;根据预设的标准位置,控制所述机械手从第一高度进入所述反应腔室,并根据所述偏差调节量进行对准所述第一加热盘的第一位置纠偏;控制所述机械手下降到介于所述第一顶针组顶端与所述第二顶针组顶端之间的第二高度,以将第一晶圆放置到所述第一顶针组的顶端,并根据所述偏差调节量进行对准所述第二加热盘的第二位置纠偏;以及控制所述机械手下降到低于所述第二顶针组顶端的第三高度,以将第二晶圆放置到所述第二顶针组的顶端。

本发明授权晶圆传输方法、传输系统、真空镀膜设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种晶圆传输方法,其特征在于,包括以下步骤: 获取反应腔室中的两个加热盘之间的第一间距,以及机械手承载晶圆的两个指部之间的第二间距,其中,所述反应腔室中的第一加热盘配置有较长的第一顶针组,而其第二加热盘配置有较短的第二顶针组; 将偏差调节量确定为所述第一间距与所述第二间距的差值的一半; 根据预设的标准位置,控制所述机械手从高于所述第一顶针组顶端的第一高度进入所述反应腔室,并控制所述机械手向所述第一加热盘的方向平移所述偏差调节量,以使第一指部承载的第一晶圆对准所述第一加热盘; 控制所述机械手下降到介于所述第一顶针组顶端与所述第二顶针组顶端之间的第二高度,以将第一指部承载的第一晶圆放置到所述第一顶针组的顶端,并控制所述机械手向与所述第二加热盘的方向平移两倍所述偏差调节量,以使第二指部承载的第二晶圆对准所述第二加热盘;以及 控制所述机械手下降到低于所述第二顶针组顶端的第三高度,以将第二指部承载的第二晶圆放置到所述第二顶针组的顶端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司,其通讯地址为:110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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