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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种具有超光滑表面的晶体-非晶薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118639175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410933185.5，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种具有超光滑表面的晶体-非晶薄膜及其制备方法与应用是由王龙;任怡;刘维民设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有超光滑表面的晶体-非晶薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有超光滑表面的晶体‑非晶薄膜及其制备方法与应用，所述方法包括：S1、制备AlCrZrMoV高熵合金靶材和TiBC复合靶材；S2、采用磁控溅射方法制备晶体‑非晶薄膜。所述应用包括具有超光滑表面的晶体‑非晶薄膜在制备机械零件保护涂层中的应用。本发明方法所获得的晶体‑非晶薄膜纯度高、致密性好、成膜均匀性好；晶体‑非晶薄膜与基片结合较好，且易于实现工业化；晶体‑非晶薄膜的硬度和弹性模量高于普通高熵合金材料。

本发明授权一种具有超光滑表面的晶体-非晶薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种具有超光滑表面的晶体-非晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、制备高熵复合靶材： 采用粉末冶金法，将高纯Al，Cr，Zr，Mo，V粉末熔炼合成浇铸成铸锭； 再将铸锭破碎球磨成粉末后进行过筛； 采用等静压成型将合金粉末装模具，然后进行高温烧结，最后对已成型的合金样品降温冷却室温并脱模，最终得到AlCrZrMoV高熵合金靶材； 采用同样的方法制备得到由TiB2、TiC作为原料制得的TiBC复合靶材； S2、采用磁控溅射方法制备晶体-非晶薄膜： S2.1、清洗：将硅片基体在石油醚和乙醇中连续使用超声波清洗15∼20min； S2.2、去氧化物：在沉积薄膜之前，对样品进行低能Ar+离子轰击10min以消除氧化物杂质； S2.3、溅射镀膜：将AlCrZrMoV高熵合金靶材和TiBC复合靶材至于基材下方15cm处，当真空室压力低于4-6×10−5Mpa时，即可开始溅射镀膜；溅射气压0.3-0.6Pa；Ar气体流量和N2流量总和保持60sccm不变，N2气流量分别为3sccm、10sccm、20sccm、30sccm；衬底上施加-80V的偏置电压，占空比为70%，制得晶体-非晶薄膜。

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