北京科技大学冯春获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118600384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410975035.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜及其制备方法是由冯春;祝荣贵;孟飞;王博毅;于广华设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜和磁传感领域。薄膜材料为111或110单晶MgO基底上生长的MgONiFeMgOTa多层膜结构，利用单晶MgO基底控制NiFe的原子间距和原子排列方式，促进O原子进入NiFe晶格并通过超交换相互作用调节NiFe的晶体场，进而优化NiFe的自旋态，最终获得超高各向异性磁电阻的NiFe薄膜。在经过氧气环境退火和超声清洗处理的单晶MgO基片上，沉积氧化镁MgO坡莫合金NiFe氧化镁MgO钽Ta多层膜结构，获得具有超高各向异性磁电阻的薄膜。本发明通过控制材料的晶体场优化NiFe的自旋态，提高各向异性磁电阻，制备的NiFe薄膜具有超高的各向异性磁电阻比率，同时具有很小的磁滞现象，能够满足超高灵敏度的各向异性磁电阻效应磁传感器的需求。
本发明授权一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自旋态控制的超高磁电阻薄膜，其特征在于，所述的超高各向异性磁电阻薄膜为111或110单晶MgO基底上生长的MgONiFeMgOTa多层膜结构，利用单晶MgO基底控制NiFe的原子间距和原子排列方式，促进O原子进入NiFe晶格并通过超交换相互作用调节NiFe的晶体场，进而优化NiFe的自旋态，最终获得超高各向异性磁电阻的NiFe薄膜；所述超高各向异性磁电阻薄膜MgONiFeMgOTa结构中各层对应的厚度依次为MgO单晶基底的取向为111或110； 所述的超高各向异性磁电阻薄膜的制备方法为：在经过氧气环境下退火和超声清洗处理的单晶MgO基片上沉积MgONiFeMgOTa多层膜，进而制备出超高各向异性磁电阻薄膜材料。
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