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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利显示面板以及阵列基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118584714B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410775294.9，技术领域涉及：G02F1/1333；该发明授权显示面板以及阵列基板的制备方法是由张子豪;李子然;林智华;吴家明设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示面板以及阵列基板的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种显示面板以及阵列基板的制备方法，在阵列基板中，第一电极、沟道部和第二电极堆叠设置与栅极构成垂直薄膜晶体管；本申请实施例的阵列基板及其制备方法采用较少掩模板的工艺制程形成结构更为简化的阵列基板。

本发明授权显示面板以及阵列基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括： 衬底； 第一金属层，设置在所述衬底上，所述第一金属层包括第一电极，所述第一电极为源极和漏极中的一者； 第一绝缘层，设置在所述衬底上，所述第一绝缘层设置有开口，所述开口暴露所述第一电极，所述第一绝缘层包括相连的第一部和第二部，所述第一部的厚度大于所述第二部的厚度，所述第一部位于所述第二部靠近所述第一电极的一侧； 有源层，设置在所述衬底上，所述有源层包括沟道部和非沟道部，所述沟道部连接设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧，所述非沟道部连接设置在所述第二部远离所述衬底的一侧； 第二金属层，设置在所述衬底上，所述第二金属层包括第二电极和栅极，所述第二电极为所述源极和所述漏极中的另一者，所述第二电极连接设置在所述沟道部远离所述衬底的一侧，所述栅极设置在所述非沟道部远离所述衬底的一侧； 第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层和所述第二金属层，所述第二绝缘层设置有接触孔，所述接触孔暴露所述第二电极；以及 像素电极，设置在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧，且通过所述接触孔连接于所述第二电极； 所述第二部、所述非沟道部和所述栅极依次堆叠形成第一堆叠结构，所述第一电极和所述沟道部依次堆叠形成第二堆叠结构，所述第一堆叠结构的厚度小于所述第一部的厚度，所述第二堆叠结构的厚度小于所述第一部的厚度; 所述第二部的厚度小于所述第一电极的厚度。

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