衢州三时纪新材料有限公司何相磊获国家专利权
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龙图腾网获悉衢州三时纪新材料有限公司申请的专利一种低含水量壳层及其包覆方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118530510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410662256.2，技术领域涉及：C08K9/10；该发明授权一种低含水量壳层及其包覆方法与应用是由何相磊;陈莹莹;陈浩;李文;杨原武设计研发完成，并于2024-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低含水量壳层及其包覆方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种低含水量壳层及其包覆方法与应用。本发明通过以T单位硅氧烷原料，使得在填料粉体表面形成聚硅氧烷层；然后通过干燥处理，使聚硅氧烷层处于低水分含量的状态，促进硅羟基的缩合，使T单位硅氧烷的有机基团有序排列，形成均匀的聚硅氧烷层；最后通过煅烧处理，去除部分T单位硅氧烷的有机基团使其转换为Q单位，使均匀的聚硅氧烷层转化为致密的硅氧烷化合物壳层。本发明通过优选原料、优化制备工艺使得壳层的硅氧烷化合物更致密、更连续，使得到的壳层长时间放置后含水量低，使得具备该壳层的填料粉体具有含水量低的优势。
本发明授权一种低含水量壳层及其包覆方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种低含水量壳层，其特征在于： 所述壳层包括硅氧烷化合物； 所述硅氧烷化合物在+20ppm至-120ppm范围的29Si-NMR核磁共振光谱图中响应； 在固体29Si-NMR核磁共振光谱图中，所述壳层-80ppm至-120ppm范围与+20ppm至-120ppm范围的峰积分面积之比为50~99.5:100； 所述硅氧烷化合物以包含90%wt以上的T单位的硅氧烷为原料经煅烧处理得到，所述煅烧处理在惰性气体氛围下进行； 其中，T单位＝R1SiO3-，R1为氢原子或独立选择的碳原子1至16的烃基。
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