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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种Si3N4陶瓷覆Cu板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118418537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410525787.7，技术领域涉及：B32B9/04；该发明授权一种Si3N4陶瓷覆Cu板及其制备方法是由张建;王鹰;肖勇;张睿智;冯维;罗国强;沈强设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Si3N4陶瓷覆Cu板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及陶瓷表面金属化技术领域，尤其涉及一种Si3N4陶瓷覆Cu板及其制备方法。包括依次放置的Si3N4陶瓷板、界面结合层和无氧铜层，所述界面结合层包括填料金属层、泡沫铜层，所述填料金属层至少位于所述泡沫铜层一侧。通过所述填料金属层与Si3N4陶瓷反应形成反应层实现连接，通过在Si3N4陶瓷板与无氧铜层之间设置泡沫铜层，利用填料金属中AgCu共晶组织熔点较低779℃使泡沫铜中间层软化团聚，在张力作用下形成周期性的柱状阵列固溶体结构均匀分布在结合界面，这样周期性的柱状阵列能够形成机械啮合效应，在界面受应力时发生塑性变形从而吸收应变过程中的能量提高界面的结合强度，进而显著提高钎焊接头的力学性能。

本发明授权一种Si3N4陶瓷覆Cu板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si3N4陶瓷覆Cu板，其特征在于：包括依次层叠放置的Si3N4陶瓷板、界面结合层和无氧铜层，所述界面结合层包括填料金属层、泡沫铜层，所述填料金属层至少位于所述泡沫铜层的一侧，利用填料金属层使泡沫铜层软化团聚，形成周期性的柱状阵列晶相结构均匀分布在Si3N4陶瓷板和无氧铜层之间； 所述填料金属层包括第一填料金属层，所述第一填料金属层位于Si3N4陶瓷板和泡沫铜层之间，所述第一填料金属层部分均匀填充至泡沫铜层的多孔结构中； 所述填料金属层包括第二填料金属层，所述第二填料金属层位于泡沫铜层与无氧铜层之间，所述第二填料金属层部分均匀填充至泡沫铜层的多孔结构中； 所述第一填料金属层包括AgCuTi箔片，所述第二填料金属层包括AgCuTi箔片或AgCu箔片； Si3N4陶瓷覆Cu板的制备方法包括以下步骤： S1、将Si3N4陶瓷板、界面结合层和无氧铜层依次叠放，得到待连接件； S2、将待连接件置于真空管式炉中，对待连接样施加3MPa的压力，在压强2×10-5Pa~1×10-3Pa、温度870℃~900℃条件下，保温5~15min，然后降温、随炉冷却到25~27℃，得到所述Si3N4陶瓷覆Cu板。

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