济南晶正电子科技有限公司张涛获国家专利权
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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利一种复合薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118322666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410235508.3,技术领域涉及:B32B9/04;该发明授权一种复合薄膜及其制备方法是由张涛;连坤;李真宇;张秀全;王金翠设计研发完成,并于2024-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请实施例提供一种复合薄膜及其制备方法,在第一衬底层表面制备第一隔离层得到第一复合结构;在第二衬底层表面制备缺陷层得到第二复合结构;在第一复合结构中第一隔离层表面依次制备功能薄膜层和第三衬底层,得到第三复合结构;去除第三复合结构中的第一衬底层,得到第四复合结构;将第四复合结构中第一隔离层的表面和第二复合结构中缺陷层的表面键合,得到第一复合薄膜;去除第一复合薄膜中的第三衬底层,得到第二复合薄膜。通过本申请实施例的设置,能够缩短复合薄膜的制备时长,提高生产效率。
本发明授权一种复合薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 在第一衬底层101表面制备第一隔离层102得到第一复合结构11; 在第二衬底层106表面制备缺陷层107得到第二复合结构12; 在所述第一复合结构11中所述第一隔离层102表面依次制备功能薄膜层103和第三衬底层108,得到第三复合结构13; 去除所述第三复合结构13中的所述第一衬底层101,得到第四复合结构14; 将所述第四复合结构14中所述第一隔离层102的表面和所述第二复合结构12中缺陷层107的表面键合,得到第一复合薄膜21; 去除所述第一复合薄膜21中的第三衬底层108,得到第二复合薄膜22。
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