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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种有源高密度电极阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118203330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410295014.4，技术领域涉及：A61B5/296；该发明授权一种有源高密度电极阵列及其制备方法是由李俊;田明兴;程连;郭爱英;张建华设计研发完成，并于2024-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有源高密度电极阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种有源高密度电极阵列及其制备方法，涉及有源高密度电极阵列领域。该有源高密度电极阵列包括：多个有源电极单元；各有源电极单元均包括一个有源放大电路和一个电极；所有有源电极单元采用矩阵式纵横排布方式组成有源高密度电极阵列；有源高密度电极阵列的行数和列数相同；放大器件、负载器件和偏置器件均为薄膜晶体管；有源放大电路由交直流整合电路与负反馈放大电路连接构成；负反馈放大电路由放大器件、负载器件、偏置器件和负反馈电容连接构成；交直流整合电路由交直流整合电阻与交直流整合电容并联构成。本发明能够降低电极的可穿戴性方面的难度以及提高肌电信号的质量。

本发明授权一种有源高密度电极阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种有源高密度电极阵列，其特征在于，所述有源高密度电极阵列包括：多个有源电极单元；各所述有源电极单元均包括一个有源放大电路和一个电极；所有所述有源电极单元采用矩阵式纵横排布方式组成有源高密度电极阵列；所述有源高密度电极阵列的行数和列数相同； 所述有源放大电路包括放大器件、负载器件、偏置器件、负反馈电容、交直流整合电容和交直流整合电阻； 所述放大器件、所述负载器件和所述偏置器件均为薄膜晶体管； 所述有源放大电路由交直流整合电路与负反馈放大电路连接构成；所述负反馈放大电路由所述放大器件、所述负载器件、所述偏置器件和所述负反馈电容连接构成；所述交直流整合电路由所述交直流整合电阻与所述交直流整合电容并联构成； 所述有源放大电路的连接方式包括： 所述偏置器件的源极分别与负载器件的栅极和负反馈电容的一端连接；所述负反馈电容的另一端分别与所述负载器件的源极和所述放大器件的漏极连接；所述负反馈电容、所述负载器件的源极和所述放大器件的漏极的连接处作为自举反相器电路的输出端；所述放大器件的栅极与所述交直流整合电容的一端连接；所述放大器件的源极接地；所述负载器件的漏极与所述偏置器件的栅极和漏极均与外界电源连接；所述交直流整合电容的一端与所述交直流整合电阻的一端连接；所述交直流整合电阻的另一端与所述外界电源连接。

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