深圳市重投天科半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司赵宁获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳市重投天科半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司申请的专利一种半导体晶体的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117802572B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311868680.4，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种半导体晶体的生长方法是由赵宁;汪坪;范立伟;杨剑挥;王波;彭同华;曾江;杨建设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体晶体的生长方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体晶体的生长方法，在进行半导体晶体生长之前，对籽晶进行缺陷检测，以获取第一表面的缺陷数据，基于缺陷数据确定第一表面中缺陷密集区域，通过扩径生长结构件覆盖缺陷密集区域之后，基于具有扩径生长结构件的第一表面，进行半导体晶体的生长，从而能够避免缺陷密集区域中缺陷对所制备半导体晶体质量的影响。
本发明授权一种半导体晶体的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶体的生长方法，其特征在于，所述半导体晶体为碳化硅晶体，所述生长方法包括： 提供籽晶，所述籽晶具有第一表面，所述第一表面用于生长所述半导体晶体； 获取所述第一表面中缺陷数据； 基于所述缺陷数据，在所述第一表面中确定缺陷密集区域；其中，所述缺陷密集区域中，单位面积内，至少一种缺陷的分布密度大于对应的设定阈值； 在所述缺陷密集区域的表面上固定扩径生长结构件； 基于具有所述扩径生长结构件的第一表面，生长所述半导体晶体； 所述缺陷包括：螺纹位错、螺纹刃位错、基面位错以及微管中的至少一种； 所述螺纹位错对应的设定阈值为300个cm2~10000个cm2； 所述螺纹刃位错对应的设定阈值为10000个cm2~20000个cm2； 所述基面位错对应的设定阈值为2000个cm2~10000个cm2； 所述微管对应的设定阈值为5个cm2~5000个cm2； 所述扩径生长结构件为圆锥体，所述圆锥体的圆形底面完全覆盖所述缺陷密集区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市重投天科半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司，其通讯地址为：518100 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区石奔路6号深圳市重投天科半导体有限公司1栋办公楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励