武汉理工大学季伟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种具有芯-缘结构的氮化硅陶瓷的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117756536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311696649.7，技术领域涉及：C04B35/596；该发明授权一种具有芯-缘结构的氮化硅陶瓷的制备方法是由季伟;陶浩宇;秦笑威;隋嘉骅;傅帅;王为民;张帆;傅正义设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有芯-缘结构的氮化硅陶瓷的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于非氧化物基陶瓷材料技术领域，更具体地，涉及一种具有芯‑缘结构的氮化硅陶瓷的制备方法。以α‑Si3N4和Mg2Si的混合物为原料，在较大的轴向压力下通过放电等离子体烧结一步制备得到沿径向α相与β相含量梯度分布的Si3N4陶瓷。边缘α‑Si3N4相的含量为60～80wt％，余量为β‑Si3N4相，硬度为21～28GPa，断裂韧性为3～5MPa·m12；中心α‑Si3N4陶瓷相含量为20～40wt％，余量为β‑Si3N4相，硬度为16～21GPa，断裂韧性为5～10MPa·m12。
本发明授权一种具有芯-缘结构的氮化硅陶瓷的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有芯-缘结构的氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1将α-Si3N4粉和烧结助剂Mg2Si进行湿法球磨混合，球磨混合后干燥并过筛得到Si3N4-Mg2Si混合粉体；所述α-Si3N4粉和烧结助剂Mg2Si的质量比为85～99:1～15； 2在非含氧气氛下，将所述Si3N4-Mg2Si混合粉体在较高轴向压力下进行一步放电等离子烧结，降温得到具有芯-缘结构的氮化硅陶瓷；所述轴向压力为100MPa～500MPa；所述放电等离子烧结其烧结温度为1200～1800℃，升温速率为5℃～200℃min，保温时间为2～60min。
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