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龙图腾网获悉武汉羿变电气有限公司申请的专利一种多芯片并联的全桥封装结构和封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117712078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311689772.6，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种多芯片并联的全桥封装结构和封装方法是由毛锦进;黄志召;李宇雄;李杰;张建行设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多芯片并联的全桥封装结构和封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种多芯片并联的全桥封装结构和封装方法。所述封装结构包括：散热底板、覆铜陶瓷基板、功率半导体芯片、键合线、驱动电阻、热敏电阻、正负极铜排、灌封胶、外壳及接线端子。散热底板上焊接覆铜陶瓷基板，所述DBC基板上焊接功率半导体芯片、热敏电阻、接线端子；功率半导体芯片表面电极通过键合线与DBC基板实现电气连接。本发明提供的封装结构通过合理的DBC基板布局优化，实现了紧凑、兼容多颗芯片并联、高可靠性、低杂散电感且均流的封装模块，驱动回路采用Kelvin结构，减小了共源寄生电感对驱动回路的负反馈影响，提高了开关速度。相应方法使得该封装结构得以实现，且成本低、加工质量可靠。

本发明授权一种多芯片并联的全桥封装结构和封装方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片并联的全桥封装结构，其特征在于：包括DBC基板，DBC基板具有电路层，所述电路层包括A区铜箔和B区铜箔，A区铜箔包括负极DC-铜箔、以及位于负极DC-铜箔两侧的下桥的交流AC铜箔，所述B区铜箔包括正极DC+铜箔、以及位于正极DC+铜箔两侧的上桥的交流AC铜箔，且所述A区铜箔和B区铜箔对称设置，所述下桥的交流AC铜箔和上桥的交流AC铜箔分别通过铜块连接； 下桥第一部分的N颗芯片焊接在一个下桥的交流AC铜箔上，下桥第二部分的N颗芯片焊接在另一个下桥的交流AC铜箔上；上桥第一部分的N颗芯片焊接在负极DC-铜箔上并靠近一个上桥的交流AC铜箔，上桥第二部分的N颗芯片焊接在负极DC-铜箔上并靠近另一个下桥的交流AC铜箔上，且N为大于2的正整数； 下桥第一部分的N颗芯片并联，下桥第二部分的N颗芯片并联，上桥第一部分的N颗芯片并联，上桥第二部分的N颗芯片并联，且下桥第一部分的N颗芯片组、下桥第二部分的N颗芯片组、上桥第一部分的N颗芯片组和上桥第二部分的N颗芯片组串联形成全桥封装； 所述A区铜箔以及焊接在A区铜箔上的芯片构成下桥驱动回路，所述B区铜箔以及焊接在B区铜箔上的芯片构成上桥驱动回路； 所述上桥驱动回路上下对称且左右对称； 所述下桥驱动回路上下对称且左右对称。

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