齐齐哈尔大学郭东轩获国家专利权
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龙图腾网获悉齐齐哈尔大学申请的专利一种碲掺杂钴插层MXene的构筑方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410023812.1，技术领域涉及：C01B32/90；该发明授权一种碲掺杂钴插层MXene的构筑方法是由郭东轩;吴有森;柴东凤;李金龙设计研发完成，并于2024-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碲掺杂钴插层MXene的构筑方法在说明书摘要公布了：发明名称一种碲掺杂钴插层MXene的构筑方法摘要本发明涉及一种碲掺杂钴插层MXene的构筑方法。本发明的目的为解决MXene易堆叠和活性位点少的问题，提供一种碲掺杂钴插层MXene的构筑方法，该方法制备的MXene具有优异的电催化析氢性能。方法：以氯化钴、V2AlC、盐酸和氟化锂为原料，采用水热法和煅烧法，得到具有高效碲掺杂钴插层MXene，为提高现有MXene基电催化析氢性能材料提供了一种制备方法。
本发明授权一种碲掺杂钴插层MXene的构筑方法在权利要求书中公布了：1.一种碲掺杂钴插层MXene的构筑方法，所述方法是按以下步骤完成的： 1将V2AlC、氟化锂和氯化钴加入盐酸中，常温下搅拌，使其充分分散； 2将1中分散体系转移到反应釜中，进行水热反应，反应完毕后自然冷却，用去离子水对沉淀物洗涤至中性，将沉淀物放入烘箱中真空干燥得到干燥的钴插层MXene； 3将0.1克步骤2中的干燥物和碲粉置于管式炉中，在N2保护条件下煅烧，得到碲掺杂钴插层MXene材料。
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