南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司;南昌实验室罗成获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司;南昌实验室申请的专利一种用于提升MOCVD薄膜生长均匀性的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117587379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311585344.9，技术领域涉及：C23C16/18；该发明授权一种用于提升MOCVD薄膜生长均匀性的装置是由罗成;熊远超;徐龙权;任毅博设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于提升MOCVD薄膜生长均匀性的装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于提升MOCVD薄膜生长均匀性的装置。该装置通过设置气体屏蔽分流罩，在分流罩上开设规律分布的通气孔；利用通气孔通气面积及其分布的变化，调节气体通路各处的流导，从而促使MOCVD反应腔内气体在外延衬体表面流动时形成更为均匀稳定的层流，最终助力于MOCVD薄膜生长均匀性的提升。另外该气体屏蔽分流罩兼具热屏蔽功能，可以降低MOCVD反应腔内的温度梯度，同时可以减少MOCVD反应腔的热损耗，实现节能降耗。
本发明授权一种用于提升MOCVD薄膜生长均匀性的装置在权利要求书中公布了：1.一种用于提升MOCVD薄膜生长均匀性的装置，其特征在于：包括MOCVD反应腔腔壁，MOCVD反应腔腔壁上的喷淋头、喷淋头下方的石墨载片盘、支撑石墨载片盘的石墨盘支撑环、围绕在石墨载片盘和石墨盘支撑环侧壁的气体分流屏蔽罩、气体分流屏蔽罩上规律分布的通气孔，与通气孔相连通的集气集灰腔，集气集灰腔下方的尾气管；MOCVD反应腔腔壁围成MOCVD反应腔，喷淋头上设有喷淋孔；在气体分流屏蔽罩上设有通气孔调节挡板，通气孔调节挡板与气体分流屏蔽罩通过插销连接，通过通气孔调节挡板的上下滑移或转动实现通气孔通气面积的调整，通气孔的分布规律为通气孔的通气面积等间距增大或减小或者通气孔的通气面积一大一小等间距周期性排布。
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