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龙图腾网获悉常州工学院申请的专利一种二维超薄六方氮化硼纳米片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117509566B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311544643.8，技术领域涉及：C01B21/064；该发明授权一种二维超薄六方氮化硼纳米片的制备方法是由洪艺伦;张明涛;杨倩;宣继航;徐天垚;郑益;任品云设计研发完成，并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维超薄六方氮化硼纳米片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维超薄六方氮化硼纳米片的制备方法，包括如下步骤：将基底置于反应炉腔体一端、硼氮前驱体置于反应炉腔体高温区，向腔体内部通入还原性载气置换出内部的空气，将进气端和出气端的阀门关闭；将反应炉升温至气相沉积温度，将基底推拉置于硼氮前驱体上方，形成微反应空间，保温沉积生长一段时间；生长结束，将基底和硼氮前驱体推至反应炉腔体一端，待腔体温度降至室温后，将沉积生长有二维超薄六方氮化硼纳米片的基底取出。本发明方法制备得到的二维超薄六方氮化硼纳米片是高质量晶体，具有优异的环境、化学稳定性，为其在电子器件、光电子器件、高强度薄膜、高透光薄膜、高导热薄膜、高介电薄膜等领域的研究和应用奠定基础。

本发明授权一种二维超薄六方氮化硼纳米片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维超薄六方氮化硼纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：将基底置于反应炉腔体的一端、硼氮前驱体置于反应炉腔体的高温区，将反应炉进气端和出气端的阀门打开，向反应炉腔体内部通入还原性载气置换出内部的空气，然后停止通入载气，并将反应炉进气端和出气端的阀门关闭，所述的基底材质为铜、镍、金、铂、铁、二氧化硅、硅、氧化铝、云母、氮化镓中的一种，所述的硼氮前驱体为六方氮化硼或立方氮化硼，载气为氢气，或者，为氢气与惰性气体的混合气体，其中氢气的体积百分数≥10%； S2：将反应炉升温至气相沉积温度，然后将基底推拉置于硼氮前驱体上方，形成微反应空间，保温沉积生长一段时间，基底与硼氮前驱体之间的微反应空间间距为0.5~10mm； S3：保温沉积生长结束后，将基底和硼氮前驱体一起从反应炉腔体的高温区推拉至一端，待反应炉腔体温度降至室温后，将沉积生长有二维超薄六方氮化硼纳米片的基底从反应炉中取出，反应炉腔体降温速度为200~600℃min。

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