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龙图腾网获悉南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请的专利一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117038704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310969940.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法是由姚佳飞;林琰琰;李昂;任嵩茗;刘安琪;刘宇遨;郭宇锋;李曼;张珺;陈静;杨可萌;张茂林设计研发完成，并于2023-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法，括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属；横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形，有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区；复合场限环具有至少两个，以半导体漏区的中心为圆心，等距内嵌在漂移区的顶面中；每个复合场限环均包括P型区域和介质区域；P型区域围绕在介质区域的两侧及底面。本发明中复合场限环的高K介质材料，能够有效调制表面电场避免表面电荷对场限环的影响，从而提高击穿电压；同时提高漂移区掺杂浓度，降低器件导通电阻。另外，栅介质、场介质和复合场限环中的介质采用同种介质材料，降低工艺难度。

本发明授权一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合场限环圆形版图横向功率器件，其特征在于：包括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属； 横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形，衬底、埋氧层和有源层从下至上依次布设； 有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区； 半导体漏区布设在有源层顶部中心，且呈圆柱形，半导体漏区顶部中心布设所述漏极金属； 半导体阱区顶部外缘布设所述源极金属； 栅极金属通过栅介质层布设在邻近源极金属的有源层顶面； 复合场限环具有M个，以半导体漏区的中心为圆心，等距内嵌在漂移区的顶面中； 每个复合场限环均包括P型区域和介质区域；P型区域围绕在介质区域的两侧及底面；介质区域均为高K介质，且高K介质的介电常数为200； 复合场限环中P型区域的深度为0.1~1微米；当有源层厚度小于2微米时，P型区域深度为有源层厚度的一半； 复合场限环的数量M根据漂移区宽度进行选择，且M≥2；当漂移区宽度每增加4-5微米时，需增加1个复合场限环； 每个复合场限环中介质区域的环形宽度均相等，或者每个复合场限环中介质区域的环形宽度从源极金属至漏极金属逐渐增加； 源极金属和漏极金属之间的有源区顶面布设有场介质层，其中，位于栅极金属正下方的场介质层形成为栅介质层；场介质层、栅介质层和每个复合场限环中的介质区域均为同一高K介质； 高k介质更能辅助耗尽漂移区，调制漂移区表面电场以解决表面电荷效应对场限环的不良影响，从而降低器件的导通电阻，提高器件击穿电压。

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