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龙图腾网获悉武汉云岭光电股份有限公司申请的专利一种半导体激光器芯片测试系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116946712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310790541.8，技术领域涉及：B65G47/91；该发明授权一种半导体激光器芯片测试系统及方法是由李万军;王远红;李鸿建设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器芯片测试系统及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片测试系统及方法，包括上料区、下料区以及依次设置的测试站一至测试站N，N≥1；还包括用于将上料区的待测芯片搬运至测试站一的上料装置以及用于将测试站N的已测芯片搬运至下料区的下料装置；所述上料装置和所述下料装置均包括吸嘴以及用于对所述吸嘴进行X、Y、Z、θ四个方向位置调节的吸嘴调节机构。本发明通过吸嘴调节机构调节芯片在X、Y、Z、θ四个方向的位置，实现对斜腔芯片的测试角度和测试位置的校正，不需要额外增加一组或多组收光组件甚至增加机台类型即可实现精准测试斜腔产品，亦可兼容直腔产品的测试，提升了测试系统的产品兼容性，降低了生产成本。

本发明授权一种半导体激光器芯片测试系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器芯片测试方法，其特征在于，采用的半导体激光器芯片测试系统包括上料区、下料区以及依次设置的测试站一至测试站N，N≥1；还包括用于将上料区的待测芯片搬运至测试站一的上料装置以及用于将测试站N的已测芯片搬运至下料区的下料装置；所述上料装置和所述下料装置均包括吸嘴以及用于对所述吸嘴进行X、Y、Z、θ四个方向位置调节的吸嘴调节机构，该测试方法包括如下步骤： S1、预设待测芯片的尺寸规格； S2、系统根据待测芯片的尺寸规格自动调整吸嘴以及测试站的收光组件的工作位置，对于斜腔芯片，还需计算并设定吸嘴的角度补偿信息、将待测芯片放置于测试站时吸嘴的平移补偿位置信息以及收光组件的平移补偿位置信息； S3、上料装置的吸嘴自上料区将待测芯片搬运至测试站一，对于斜腔芯片，在这个过程中，上料装置的吸嘴调节机构还要根据设定的吸嘴的角度补偿信息对待测芯片进行角度校正，并根据设定的吸嘴的平移补偿位置信息进行位置补偿后将待测芯片放置到测试站一上； S4、在测试站一对待测芯片进行光电性能测试，对于斜腔芯片，测试站一的收光组件调节机构根据设定的收光组件的平移补偿位置信息对收光组件进行位置补偿后进行光电性能测试； S5、下料装置的吸嘴自测试站一将已测产品搬运至下料区，对于斜腔芯片，下料装置的吸嘴调节机构还要根据设定的吸嘴的角度补偿信息将芯片还原为零角度放置后放到下料区。

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