西北工业大学周青获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种耐磨多主元合金氮化物薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116815116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310693124.1，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种耐磨多主元合金氮化物薄膜及其制备方法是由周青;李旗抗;黄卓斌;钱旦;尹存宏;王海丰设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐磨多主元合金氮化物薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐磨多主元合金氮化物薄膜，其特征在于：包括以氩气和氮气为离化气体在硅基底上直接镀覆一层VCoNiNx薄膜；所述VCoNiNx薄膜包含按照原子百分比含量计算的如下元素：V19～39％、Co19～39％、Ni19～39％、N0～35％。所述VCoNiNx薄膜由磁控溅射技术在基体表面沉积而获得的，且晶体相具有面心立方结构。该发明的技术效果为采用磁控溅射技术制备而具有面心立方结构的VCoNiNx薄膜，相比原多主元合金VCoNi薄膜与合金氮化物薄膜，该薄膜表现出更高的硬度以及优异的耐磨损性能，其硬度高于8GPa，磨损率低于3.99×10‑6mm3Nm表现出优异的耐磨损性能；可以在高磨损环境中以较低的成本对基体进行良好保护，易于在工业上实现与推广。
本发明授权一种耐磨多主元合金氮化物薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐磨多主元合金氮化物薄膜，其特征在于：包括以氩气和氮气为离化气体在硅基底上直接镀覆一层VCoNiNx薄膜； 所述VCoNiNx薄膜包含按照原子百分比含量计算的如下元素： V19~39%、Co19~39%、Ni19~39%、N0~35%，其中N的百分比含量大于零。
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