铠侠股份有限公司渡邉崇史获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体制造装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116766047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210978636.8,技术领域涉及:B24B37/10;该发明授权半导体制造装置及半导体装置的制造方法是由渡邉崇史设计研发完成,并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了:实施方式提供一种能够进行晶圆面内的详细的温度分布控制,且能够提高研磨速率的面内均一性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置是将研磨对象物保持在研磨头而对所述研磨对象物的表面进行研磨的半导体制造装置。实施方式的半导体制造装置在所述研磨头具有多个激光照射部。实施方式的半导体制造装置中,至少一个所述激光照射部是对所述研磨对象物的背面侧照射激光束的激光照射部。
本发明授权半导体制造装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体制造装置,包含: 研磨头,保持具有第1表面和第2表面的研磨对象物,所述第1表面是待研磨的表面,所述第2表面与所述第1表面相对,所述研磨头具有面向所述第2表面的下表面,所述下表面具有中心部和外周部,且所述研磨头在从所述中心部到所述外周部的区域中具有组装在所述研磨头中的多个激光照射单元,且 所述多个激光照射单元中的至少一个对所述研磨对象物的所述第2表面照射激光束。
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