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龙图腾网获悉深圳市斑岩光子技术有限公司申请的专利一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116683281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310879048.3，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片是由唐涌波;吴芳设计研发完成，并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片在说明书摘要公布了：本发明公开一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片，包括半导体衬底，以及制作于所述半导体衬底上的半导体激光器和半导体光探测器，还包括过渡结构，所述过渡结构开设于所述半导体衬底上，并位于所述半导体激光器与所述半导体光探测器之间。本发明中的半导体激光器光斑的大部分都与刻蚀槽端面重合，并经其上的反射结构返回激光腔，光斑边缘的小部分从未刻蚀通道馈入光探测器，该结构主体由光罩掩膜图案定义，可以实现可控且高效的光探测器光耦合，进而准确表征激光器的工作状态，此外，从激光腔导出到光探测器的光被约束于波导结构中，不会变成杂散光，进而影响激光器的正常工作。

本发明授权一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片，包括半导体衬底，以及制作于所述半导体衬底上的半导体激光器和半导体光探测器，其特征在于，还包括 过渡结构，所述过渡结构开设于所述半导体衬底上，并位于所述半导体激光器与所述半导体光探测器之间；所述过渡结构包括第一刻蚀槽、第二刻蚀槽，以及位于所述第一刻蚀槽和所述第二刻蚀槽之间的未刻蚀通道； 所述第一刻蚀槽的其中一个侧壁构成所述半导体激光器的激光腔的一个反射端面，该反射端面上覆盖有光反射层，且该光反射层所包覆的激光腔端面区域与激光腔的横模光斑的主体部分重合； 所述未刻蚀通道与所述半导体激光器的激光腔的横模光斑的边缘区域重合，并允许该重合部分的光斑通过所述未刻蚀通道，到达所述半导体光探测器侧端面，并由所述半导体光探测器吸收并形成可被用于表征所述半导体激光器的工作特性的光电流； 所述半导体激光器是一个脊型波导结构的边发射半导体激光器； 所述半导体激光器和所述半导体光探测器采用相同的外延材料结构； 所述半导体光探测器延伸至所述未刻蚀通道，以提高光耦合效率； 所述光反射层为透明介质层、或金属层、或介质层与金属层的组合层。

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