长安大学虢婷获国家专利权
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龙图腾网获悉长安大学申请的专利一种耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116623132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310611428.9，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜及其制备方法和应用是由虢婷;柯松;张晓芳;陈卓坤;楚子慕;周青;陈永楠设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐磨MgCuYCu非晶晶体多层薄膜及其制备方法和应用，包括采用磁控溅射技术交替叠加的非晶MgCuY层和金属Cu层；MgCuY层中各元素的原子百分含量为Mg:80％‑88％，Cu:3％‑8％，Y:9％‑12％；MgCuY层单层厚度为4nm，金属Cu单层层厚度为4‑32nm，多层薄膜的总厚度为0.84‑1.06μm。硬度均高于纯Cu薄膜和MgCuY非晶薄膜，并且耐磨性得相比纯Cu薄膜明显改善。
本发明授权一种耐磨MgCuY/Cu的非晶/晶体多层薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种耐磨MgCuYCu的非晶晶体多层薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，将基体放入密封腔体中； 基体为单面抛光的圆形单晶硅基片，直径为50mm； 基体放入密封腔体前，先后用蒸馏水和酒精超声清洗10-15分钟，再吹干； 步骤2，将金属Cu靶安装在A号靶材座上作为A靶，将MgCuY合金靶安装在B号靶材座上作为B靶； 步骤3，将密封腔体抽真空，达到所需真空度后，通入离化气体，调整工作气压，然后采用A靶和B靶交替溅射，在基体上交替沉积MgCuY层和Cu层，直到厚度达到要求，得到耐磨MgCuYCu的非晶晶体多层薄膜； 所述耐磨MgCuYCu的非晶晶体多层薄膜包括交替叠加的非晶MgCuY层和金属Cu层； MgCuY层中各元素的原子百分含量为Mg:80％-88％，Cu:3％-8％，Y:9％-12％； MgCuY层单层厚度为4nm，金属Cu单层层厚度为4-32nm，多层薄膜的总厚度为0.84-1.06µm。
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