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龙图腾网获悉成都科创科学文化研究院申请的专利电磁炮半桥拓扑结构及作业方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116592703B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310453281.5，技术领域涉及：F41B6/00；该发明授权电磁炮半桥拓扑结构及作业方法是由杨忠霖;瞿雨山;林华景;刘虎设计研发完成，并于2023-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本电磁炮半桥拓扑结构及作业方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电磁炮半桥拓扑结构及作业方法。本发明结构在主储能元件上连接至少一组半桥拓扑网络，该网络包括半桥电路和至少一级加速电路，各级加速电路分别连接于半桥电路的两路开关电路之间，两路开关电路均以全控开关作为开关元件。对于基本设计，加速电路以半控开关作为选级开关。本发明在基本设计基础上做了三种变型，其一是设计两组以上半桥拓扑网络交替作业；其二是将选级开关采用全控开关，同时增加保护电路；其三是在每一级加速电路的加速线圈和选级开关之间，增加一续流二极管，以在续流和能量回收时排除掉选级开关。本发明对电磁炮进行了低复杂度、轻量化、高效率、高集成度、低成本设计，使之能够在实际工程中得以应用。

本发明授权电磁炮半桥拓扑结构及作业方法在权利要求书中公布了：1.一种电磁炮半桥拓扑结构，其特征在于，包括有极性的主储能单元，以及至少一组半桥拓扑网络，每一组所述半桥拓扑网络分别连接所述主储能单元两端； 至少一组所述半桥拓扑网络包括半桥电路，以及多级加速电路； 所述半桥电路，包括由半导体开关Q1、二极管D1串联的第一路开关电路，以及由半导体开关Q2、二极管D2串联的第二路开关电路，所述半导体开关Q1和Q2均为全控开关；两路开关电路的两端分别连接于所述主储能单元； 每一级加速电路均包含加速线圈和串联的选级开关，所述选级开关均为半控开关；各级加速电路的一端连接于所述半导体开关Q1和二极管D1之间，另一端连接于所述半导体开关Q2和二极管D2之间； 所述电磁炮半桥拓扑结构的作业方法包括： 以各级加速电路的排列顺序，循环执行以下流程： 导通半导体开关Q1和Q2； 导通当前级加速电路的选级开关； 经过第一时间，关断所述半导体开关Q1和Q2之一； 经过第二时间，关断所述半导体开关Q1和Q2剩余的一个。

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