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龙图腾网获悉清华大学申请的专利伪电阻电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116466790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310376703.3，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权伪电阻电路是由张雷;韩明时设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本伪电阻电路在说明书摘要公布了：本公开实施例提供的一种伪电阻电路，属于模拟集成电路设计领域。该伪电阻电路包括：串联连接的晶体管M1和晶体管M2，晶体管M1和晶体管M2均为PMOS管，晶体管M1和晶体管M2的栅极相连并接入晶体管M1与晶体管M2的串联连接点；以及可随温度自调节的偏置电压VB，作用于晶体管M1和晶体管M2的衬底端。本公开实施例基于晶体管的衬底偏置效应，提高了伪电阻电路的温度稳定性，使伪电阻电路具有更广的应用场景。

本发明授权伪电阻电路在权利要求书中公布了：1.一种伪电阻电路，其特征在于，包括： 串联连接的晶体管M1和晶体管M2，晶体管M1和晶体管M2均为PMOS管，晶体管M1和晶体管M2的栅极相连并接入晶体管M1与晶体管M2的串联连接点；以及 可随温度自调节的偏置电压VB，作用于晶体管M1和晶体管M2的衬底端； 所述可随温度自调节的偏置电压VB由温控电压产生电路产生，所述温控电压产生电路包括： 以二极管方式连接的晶体管M9，晶体管M9为PMOS管，晶体管M9的栅极电压即所述可随温度自调节的偏置电压VB； 共源共栅电流源，用于为晶体管M9提供不随温度变化的偏置电流，并使晶体管M9工作在亚阈值区； 共源共栅电流镜，用于为所述共源共栅电流源提供偏置电压； 所述晶体管M9的源极和衬底端均接电源电压VDD； 所述共源共栅电流镜包括均为NMOS管的晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6的衬底端均接地；晶体管M3的栅极接晶体管M4的栅极，晶体管M3的源极接地，晶体管M3的漏极接晶体管M4的源极；晶体管M4的栅极接晶体管M4的漏极，向晶体管M4的漏极输入参考电流Iref，在晶体管M4的漏极产生电压Vb1；晶体管M5的栅极接晶体管M6的漏极，晶体管M5的源极接地，晶体管M5的漏极接晶体管M6的源极；晶体管M6的栅极接电压Vb1，向晶体管M6的漏极输入与所述参考电流Iref相同的镜像电流I1，在晶体管M6的漏极产生电压Vb2； 所述共源共栅电流源包括均为NMOS管的晶体管M7和晶体管M8，晶体管M7和晶体管M8的衬底端均接地；晶体管M7的栅极接电压Vb2，晶体管M7的源极接地，晶体管M7的漏极接晶体管M8的源极；晶体管M8的栅极接电压Vb1，晶体管M8的漏极接晶体管M9的漏极。

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