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龙图腾网获悉武汉拓材科技有限公司申请的专利一种闭路循环氟化物化学气相沉积高纯材料的方法及制备装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116463614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310378493.1，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种闭路循环氟化物化学气相沉积高纯材料的方法及制备装置是由卢鹏荐;曾小龙;王凯;张林;曾祥;李鹏武;袁珊珊设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种闭路循环氟化物化学气相沉积高纯材料的方法及制备装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闭路循环氟化物化学气相沉积高纯材料的方法及制备装置，属于半导体高纯材料制备技术领域，通过闭路循环氟化物减少化学气相沉积制备材料中氟元素尾气危害，无需氟元素尾气收集及处理，环境友好；同时本申请提纯效率高，适合绝大部分难熔金属提纯，及部分半导体过渡金属单质提纯；能够一步将粗纯度材料提纯至高纯度材料；本申请能够实现定量投料的目的，防止提纯材料堆放在反应釜内影响反应效果；通过提供给料仓一定的振幅，使料仓内提纯材料发生抖动，因而能够防止出现堵塞情况，提高料槽承接提纯材料的稳定性，避免提纯材料出现堆积造成投料盒出现堵塞情况，配合定量投料的应用，有利于提纯材料进行充分反应。

本发明授权一种闭路循环氟化物化学气相沉积高纯材料的方法及制备装置在权利要求书中公布了：1.一种闭路循环氟化物化学气相沉积高纯材料的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提纯材料粗纯度投料，选取待提纯材料纯度为99%-99.99%； S2、加热条件下，氟气与提纯材料反应，生成二元氟化物； S3、二元氟化物提纯分离，分离出目标材料含氟化合物； S4、加热条件下，氢气与二元氟化物反应，还原提纯材料； S5、提纯材料进行纯度检测，符合标准则产品达标，不符合标准重复投入S2工艺环节； S6、将S4中氢还原二元氟化物生成的氟化氢进行提纯； S7、将S6中提纯氟化氢进行电解，制备高纯氢气和高纯氟气； 所述S1中投料所应用到的制备装置包括反应釜1，所述反应釜1的底部设有排放阀2，所述反应釜1的上方设有料仓3，所述料仓3的顶部连接有密封盖4； 所述料仓3底部的两侧均固定连接有挡板5，两个挡板5均与底座6相固定，所述底座6与反应釜1的顶部固定连接，所述料仓3的底部通过投料盒8与反应釜1的入料口连通，所述投料盒8内设有定量投料组件9，所述定量投料组件9的底端与底座6相固定，所述定量投料组件9的两侧分别连接有敲击组件11，所述敲击组件11与挡板5的外壁搭接，所述敲击组件11远离挡板5的一侧固定连接有支撑组件12，所述支撑组件12的底部与底座6固定连接； 所述定量投料组件9包括转辊901外壁开设有四个料槽903，四个料槽903之间的夹角为90度，所述转辊901中部卡接有连接轴902，所述连接轴902的两端均固定连接有转盘906，所述转盘906外设有两个凸起，且凸起的一侧为倾斜设计，且凸起的另一侧为垂直设计，所述连接轴902的一端与电机904的输出轴固定连接，所述电机904机身外卡接有机座905，所述机座905与底座6固定连接； 所述投料盒8内的两侧均设有一组挡料板10，且每组挡料板10的数量为两个，相对的两个挡料板10呈倒八字倾斜设计，所述敲击组件11包括敲击板111，所述敲击板111的内侧与挡板5的外壁搭接，所述敲击板111靠近料仓3的一侧固定连接有两个连接杆113，所述连接杆113的一端连接有滑轮114； 所述敲击板111底部的两侧均固定连接有滑板112，所述底座6上对应滑板112的位置均开设有滑轨7，所述滑板112滑动连接在滑轨7内，且滑板112和滑轨7均为T形设计； 所述支撑组件12包括侧板121，所述侧板121的底部与底座6固定连接，所述侧板121靠近料仓3的一侧固定连接有弹簧122，所述弹簧122与敲击板111的外壁固定连接，所述挡板5的内壁通过三个倾斜设计的支撑杆13与料仓3的底部固定连接。

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