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龙图腾网获悉厦门凌阳华芯科技股份有限公司申请的专利一种带隙参考电压电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116414177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310129366.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带隙参考电压电路是由吴哲玮设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙参考电压电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带隙参考电压电路，涉及电路设计领域，包括正负温度系数电压生成电路、温度系数补偿电路和分压电路，正负温度系数电压生成电路产生正温度系数电压和负温度系数电压，温度系数补偿电路基于正温度系数电压和负温度系数电压生成零温度系数电压，分压电路的第一端的电压为零温度系数电压，分压电路的第二端接地，通过调整分压电路中第一端与分压端以及第二端与分压端之间的分压使得参考电压小于零温度系数电压，从而降低利用带隙参考电压电路提供的参考电压工作的数位电路的损耗。

本发明授权一种带隙参考电压电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙参考电压电路，其特征在于，包括正负温度系数电压生成电路、温度系数补偿电路和分压电路； 所述正负温度系数电压生成电路用于生成正温度系数电压和负温度系数电压； 所述温度系数补偿电路用于基于所述正温度系数电压和所述负温度系数电压生成零温度系数电压； 所述分压电路的第一端与所述温度系数补偿电路的输出端连接，第二端接地，位于所述第一端与所述第二端之间的输出端用于输出参考电压； 其中，所述正负温度系数电压生成电路包括第一NMOS、第二NMOS与第一电阻，所述第一NMOS和所述第二NMOS工作在亚阈值区； 所述第一电阻的第一端与所述第一NMOS的栅极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第一NMOS的漏极以及第二NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的源极与所述第二NMOS的源极均接地； 所述第一NMOS的栅极与源极之间的电压作为所述负温度系数电压，所述第一电阻两端的电压作为所述正温度系数电压； 所述温度系数补偿电路包括放大器、第二电阻和第三电阻，所述第二电阻的阻值等于所述第三电阻的阻值； 所述放大器的正输入端与所述第一电阻和所述第一NMOS连接的公共端以及所述第一电阻的第一端连接，所述放大器的负输入端与所述第二NMOS的漏极以及第三电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第二端连接，所述放大器的输出端连接启动电路的输出端，其中，所述启动电路用于输出启动电流。

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