中微半导体设备(上海)股份有限公司尹志尧获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种化学气相沉积装置及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116411265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111666778.2，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权一种化学气相沉积装置及其方法是由尹志尧;张海龙;庞云玲;丛海设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化学气相沉积装置及其方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种化学气相沉积装置及其方法，该装置包含：反应室，其具有一进气开口和一排气开口，且所述反应室内设置有一托盘，用于承载基片；外壳体，其设置于所述反应室外侧，所述外壳体的内壁和所述反应室的外壁之间构成一容纳空间；多个辐射热源，其设置于所述容纳空间内，用于透过所述反应室的外壁加热所述基片；气压调整装置，其用于独立调控所述容纳空间和反应室内的气压。其优点是：该装置的容纳空间的气压小于大气气压，有助于降低反应室腔壁的承压压力，同时其不会影响辐射热源的热传递效率，有助于反应室内反应区域受热均匀性，保证了基片薄膜沉积的均匀性，提高基片工艺生产的良品率。
本发明授权一种化学气相沉积装置及其方法在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包含： 透明石英制成的反应室，用于进行真空反应，其具有一进气开口和一排气开口，且所述反应室内设置有一托盘，用于承载基片； 外壳体，其设置于所述反应室外侧，所述外壳体的内壁和所述反应室的外壁之间构成一容纳空间； 多个辐射热源，其设置于所述容纳空间内，用于透过所述反应室的外壁加热所述基片； 气压调整装置，其用于独立调控所述反应室内与所述容纳空间的气压，使得容纳空间中的气压为0.1～0.6个大气压。
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