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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种薄膜处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116397214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111623895.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种薄膜处理装置是由庞云玲;尹志尧;姜勇;丛海设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜处理装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜处理装置，其包含：将纵长形反应腔室分隔为反应空间和晶圆传片空间的进气隔板和排气隔板；进气隔板上方为进气区域，排气隔板上方为排气区域，两区域之间的晶圆处理区域用于容纳承载晶圆的基座以进行薄膜沉积工艺；基座可从晶圆处理区域下降到晶圆传片空间，使得基座上的晶圆可被机械臂传输到反应腔室外部空间；包含多个进气喷口的进气法兰组件；包含导流管道的气体导流组件，导流管道设置在进气法兰组件和晶圆处理区域之间，多个导流管道中的气流独立可调。其优点是：该装置在保证反应空间内洁净度的同时，还可以实现对反应空间内气流场分布的调控，有助于提高气流分布的均匀性以及各组分的均匀性，提高了晶圆生产的良品率。

本发明授权一种薄膜处理装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜处理装置，其特征在于，包含： 纵长形反应腔室，由反应腔室顶壁、底壁和两侧壁围绕而成，还包括一进气端开口和一排气端开口； 反应腔室内靠近所述进气端开口和排气端开口处分别设置有进气隔板和排气隔板，将反应腔室分隔为上方的反应空间和下方的晶圆传片空间； 所述进气隔板上方为进气区域，排气隔板上方为排气区域，进气区域、排气区域之间的晶圆处理区域用于容纳承载晶圆的基座以进行薄膜沉积工艺； 所述基座可从所述晶圆处理区域下降到晶圆传片空间，使得基座上的晶圆可被机械臂传输到反应腔室外部空间； 进气法兰组件，设置在所述进气端开口，其包含与所述进气隔板平行排布的多个进气喷口； 进气区域还包括一气体导流组件，气体导流组件包括多个沿纵长方向延伸的导流管道，所述导流管道设置在所述进气法兰组件和晶圆处理区域之间，多个所述导流管道中的气流独立可调； 多个所述导流管道中，第一导流管道的第二端具有第一出气喷口，第二导流管道的第二端具有第二出气喷口，所述第一出气喷口和第二出气喷口喷出的气体之间存在夹角。

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