浙江大华技术股份有限公司郑博达获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大华技术股份有限公司申请的专利银纳米线透明导电件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344112B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310332322.5，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权银纳米线透明导电件及其制备方法和应用是由郑博达;汪聪;陈洁;苏传明;解威;曾西设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本银纳米线透明导电件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种银纳米线透明导电件及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在透明基板表面刻蚀至少一个凹槽并进行活化处理，得到预处理基板，其中，凹槽的深度为100nm‑200nm，宽度为100nm‑160nm；将预处理基板置于含巯基硅氧烷的银纳米线分散液中，使凹槽底部吸附沉积银纳米线层，得到复合导电体，其中，银纳米线层的厚度为40nm‑60nm；将复合导电体置于无机氧化物粉体分散液中，使银纳米线层表面键合保护层，去除凹槽外附着的残留物，得到银纳米线透明导电件，其中，银纳米线层与保护层的厚度之和小于或者等于凹槽的深度。所述制备方法使银纳米线透明导电件在确保高透过率的同时具有高导电性，且可靠性优异。
本发明授权银纳米线透明导电件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种银纳米线透明导电件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 在透明基板表面刻蚀至少一个凹槽并进行活化处理，得到预处理基板，其中，所述凹槽的深度为100nm-200nm，宽度为100nm-160nm，任意两个凹槽相互平行，且任意两个凹槽之间的间距相同； 将所述预处理基板置于含巯基硅氧烷的银纳米线分散液中，使所述凹槽底部吸附沉积银纳米线层，得到复合导电体，其中，所述银纳米线层的厚度为40nm-60nm； 将所述复合导电体置于无机氧化物粉体分散液中，使所述银纳米线层表面键合保护层，去除所述凹槽之外附着的银纳米线残留物和无机氧化物粉体残留物，得到银纳米线透明导电件，其中，所述银纳米线层与所述保护层的厚度之和小于或者等于所述凹槽的深度。
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