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信越化学工业株式会社渡部卫获国家专利权

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龙图腾网获悉信越化学工业株式会社申请的专利密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116339073B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211658764.0,技术领域涉及:G03F7/004;该发明授权密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法是由渡部卫;原田裕次;中原贵佳;美谷岛祐介;荻原勤设计研发完成,并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法在说明书摘要公布了:本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题是提供:如下的密合膜的密合膜形成材料,该密合膜在半导体装置制造步骤中利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中,具有和抗蚀剂上层膜的高密合性且具有抑制微细图案的崩塌的效果同时可形成良好的图案形状。该课题的解决手段是一种密合膜形成材料,是使用于形成在抗蚀剂上层膜的紧邻下方的密合膜的密合膜形成材料,前述密合膜形成材料含有:A具有至少一个含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元,且具有至少一个和前述含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元不同的下述通式2表示的结构单元的树脂、B热酸产生剂、及C有机溶剂。

本发明授权密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法在权利要求书中公布了:1.一种密合膜形成材料,是使用于形成在抗蚀剂上层膜的紧邻下方的密合膜的密合膜形成材料,其特征为该密合膜形成材料含有: A具有至少一个含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元,且具有2种以上和该含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元不同的下述通式2表示的结构单元的树脂、 B热酸产生剂、及 C有机溶剂; 上述通式2中,R6为氢原子或甲基,R7为选自下式2-1~2-3的基团; 上述式中,虚线表示原子键。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人信越化学工业株式会社,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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