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龙图腾网获悉江西天漪半导体有限公司申请的专利一种压控电流源及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116301148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310044474.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种压控电流源及控制方法是由何军;霍建龙;叶旻设计研发完成，并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压控电流源及控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电学领域，尤其是一种压控电流源及控制方法。包括电压转电流产生电路：将输入电压转换为与输入电压、压流转换电阻、以及VGS_NM1相关的电流并输出；补偿电路：对电流值进行补偿后得到仅受输入电压与压流转换电阻控制的电流；输出电路：输出经补偿电路补偿后的电流。因此，本发明具有如下优点：1、本发明通过简单结构实现了3V‑100V宽输入范围的电压到电流转换。2、本发明采用开环结构，电路结构简单，有效降低系统功耗，减小了芯片面积，避免了闭环结构带来的稳定性问题。3、本发明巧妙设计了补偿电路，使输出电流精度远高于传统开环结构的精度。

本发明授权一种压控电流源及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种压控电流源，其特征在于，包括： 电压转电流产生电路：将输入电压VIN转换为与输入电压VIN、压流转换电阻R1、以及VGS_NM1相关的电流并输出；其中，VGS_NM1为标号为1的NMOS管的栅源电压； 补偿电路：对电流值进行补偿后得到仅受输入电压VIN与压流转换电阻R1控制的电流； 输出电路：输出经补偿电路补偿后的电流； 所述电压转电流产生电路包括电流源I、压流转换电阻R1、镜像电路保护单元以及镜像电路一，所述镜像电路保护单元包括NMOS管NMHV0、齐纳管Z1和二极管D1；镜像电路一包括若干镜像NMOS管； 补偿电路包括镜像电路二以及补偿单元，所述镜像电路二包括若干镜像PMOS管，所述补偿单元包括若干镜像NMOS管以及补偿电阻R2； 输出电路包括若干镜像PMOS管组成的镜像电路三； 镜像电路一包括NMOS管NM0、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM5、NMOS管NM6；电源电压VCC通过电流源I与NM0漏极、NM0栅极、齐纳管Z1的N极相接，NM0源极和齐纳管Z1的P极接地；NM0栅极与NM2栅极、NM4栅极、NM6栅极相接；输入电压VIN通过压流转换电阻R1与NMHV0漏极相接，NMHV0源极与二极管D1的P极相连，电源电压VCC与NMHV0的栅极、二极管D1的N极相连；二极管D1的P极与NM2漏极、NM1栅极、NM3栅极、NM5栅极相接，NM2源极与NM1漏极相接，NM4源极与NM3漏极相接，NM6源极与NM5漏极相接； 镜像电路二包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4；补偿单元包括补偿电阻R2、NMOS管NM7、NMOS管NM8、NMOS管NM9；PM1栅极与PM1漏极、PM3栅极相接；PM1源极与PM3源极共同接到电源电压VCC，PM3漏极与PM4源极相接，PM4漏极与NM8栅极、漏极相接；PM1漏极与PM2源极相接，PM2漏极与自身栅极、NM4漏极、PM4栅极相接；NM6漏极与NM9漏极相接；NM7栅极与自身漏极、NM8源极相接，NM8栅极与NM9栅极相接；NM9源极通过补偿电阻R2与NM7源极、NM5源极、NM3源极、NM1源极共同接地。

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