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龙图腾网获悉舜宇奥来半导体光电(上海)有限公司申请的专利超透镜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116299796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310147071.3，技术领域涉及：G02B3/02；该发明授权超透镜是由沈健;郭丰;陈远设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本超透镜在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超透镜。超透镜包括：衬底；多个第一结构；多个第二结构，第一结构和第二结构均呈柱状，且至少部分第一结构和至少部分第二结构绕衬底的周向交替设置在衬底的一侧表面上，第一结构在衬底上的投影面积与第二结构在衬底上的投影面积大小不同。本发明解决了现有技术中的超结构存在功能单一的问题。

本发明授权超透镜在权利要求书中公布了：1.一种超透镜，其特征在于，包括： 衬底10； 多个第一结构20； 多个第二结构30，所述第一结构20和所述第二结构30均呈柱状，且至少部分所述第一结构20和至少部分所述第二结构30绕所述衬底10的周向交替设置在所述衬底10的一侧表面上，所述第一结构20在所述衬底10上的投影面积与所述第二结构30在所述衬底10上的投影面积大小不同； 所述第一结构20包括第一芯柱21和随形包覆在所述第一芯柱21的外周侧的第一侧墙22，所述第一侧墙22与所述第一芯柱21的材料相同，和所述第一侧墙22与所述第一芯柱21的折射率相同；所述第一侧墙22采用刻蚀工艺形成，且所述第一侧墙22的厚度沿远离所述衬底10的方向逐渐减小； 所述第一结构20的截面积沿远离所述衬底10的方向逐渐减小，所述第二结构30的截面积沿远离所述衬底10的方向保持一致； 在所述衬底10的一侧表面上第一次沉积具有第一厚度的待刻蚀材料40，所述待刻蚀材料40为非晶硅、碳化硅、二氧化钛中的一种；在所述待刻蚀材料40远离所述衬底10的一侧表面上设置光刻胶并做图形化处理，以在所述待刻蚀材料40远离所述衬底10的一侧表面上形成多个第一掩膜柱50，多个所述第一掩膜柱50与所述衬底10上准备设置的多个所述第一芯柱21的位置一一对应，然后进行第一次曝光处理；经第一次刻蚀处理后形成多个所述第一芯柱21；在所述衬底10具有所述第一芯柱21的一侧表面第二次沉积具有第二厚度的待刻蚀材料40，在所述待刻蚀材料40远离所述衬底10的一侧表面上设置光刻胶并做图形化处理形成多个第二掩膜空心柱60和多个第三掩膜柱70，多个所述第二掩膜空心柱60与所述衬底10上准备设置的多个所述第一侧墙22的位置一一对应，多个所述第三掩膜柱70与所述衬底10上准备设置的多个所述第二结构30的位置一一对应，然后进行第二次曝光处理；经第二次刻蚀处理形成包覆所述第一芯柱21的所述第一侧墙22和所述第二结构30。

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