北京北方华创微电子装备有限公司孔宇威获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种半导体工艺设备及其整流结构清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116246926B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211730596.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种半导体工艺设备及其整流结构清洁方法是由孔宇威;伊藤正雄;林源为设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体工艺设备及其整流结构清洁方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体工艺设备及其整流结构清洁方法，半导体工艺设备包括：工艺腔室，工艺腔室包括：腔体、等离子体发生装置、承载装置、驱动装置和整流结构，腔体内部形成有工艺腔；整流结构设置于腔体内，整流结构将工艺腔从上至下上下分隔为发生腔和加工腔；等离子体发生装置设置于腔体的外侧，用于对进入发生腔的工艺气体进行离化形成等离子体；承载装置设置于加工腔内，用于承载晶圆；整流结构呈板状，整流结构上具有多个通孔，且在晶圆的轴向上覆盖晶圆；驱动装置与整流结构以可分离的方式连接，用于在腔体内翻转整流结构。本发明能够实现对工艺腔室内整流结构背面的清洗，避免整流结构上附着的副产物剥落造成颗粒污染。
本发明授权一种半导体工艺设备及其整流结构清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括：工艺腔室，所述工艺腔室包括：腔体、等离子体发生装置、承载装置、驱动装置和整流结构，所述腔体内部形成有工艺腔； 所述整流结构设置于所述腔体内，所述整流结构将所述工艺腔从上至下上下分隔为发生腔和加工腔； 所述等离子体发生装置设置于所述腔体的外侧，用于对进入所述发生腔的工艺气体进行离化形成等离子体； 所述承载装置设置于所述加工腔内，用于承载晶圆； 所述整流结构呈板状，所述整流结构上具有多个通孔，且在晶圆的轴向上覆盖晶圆； 所述驱动装置与所述整流结构以可分离的方式连接，用于在所述腔体内翻转所述整流结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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