上海华力集成电路制造有限公司王强获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利减小牛角高度、扩大光刻胶回刻蚀工艺窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310172500.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权减小牛角高度、扩大光刻胶回刻蚀工艺窗口的方法是由王强;刘哲郡;黄然设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本减小牛角高度、扩大光刻胶回刻蚀工艺窗口的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种减小牛角高度、扩大光刻胶回刻蚀工艺窗口的方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，有源区上形成有栅极结构以及金属硅化物，栅极结构由自下而上的伪栅多晶硅层、栅极氮化层、栅极氧化层组成，栅极氧化层的厚度为预设值；栅极结构的侧壁形成有第一侧墙以及位于第一侧墙上的第二侧墙；研磨栅极氧化层以及第一、二侧墙至栅极氮化层的上方；在衬底上形成覆盖剩余栅极结构的光刻胶层；刻蚀光刻胶层及其下方的栅极氮化层、第一、二侧墙，使得伪栅多晶硅层侧壁上的第一侧墙保留，金属硅化物不被刻蚀；去除剩余的光刻胶层。本发明的方法显著降低牛角高度，减少了缺陷的数量，扩大了光刻胶回刻蚀的上限工艺窗口。
本发明授权减小牛角高度、扩大光刻胶回刻蚀工艺窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种减小牛角高度、扩大光刻胶回刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有STI以定义出有源区，所述有源区上形成有栅极结构以及金属硅化物，所述栅极结构由自下而上的伪栅多晶硅层、栅极氮化层、栅极氧化层组成，所述栅极氧化层的厚度为600至850埃；所述栅极结构的侧壁形成有第一侧墙以及位于所述第一侧墙上的第二侧墙，所述第一侧墙的材料为SiCN，所述第二侧墙的材料为SiN； 步骤二、研磨所述栅极氧化层以及所述第一、二侧墙至所述栅极氮化层的上方； 步骤三、在所述衬底上形成覆盖剩余所述栅极结构的光刻胶层； 步骤四、刻蚀所述光刻胶层及其下方的所述栅极氮化层、所述第一、二侧墙，使得所述伪栅多晶硅层侧壁上的所述第一侧墙保留，所述金属硅化物不被刻蚀； 步骤五、去除剩余的所述光刻胶层。
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