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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利一种去除多晶缺陷的高品质单晶金刚石制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116200825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310104712.7，技术领域涉及：C30B29/04；该发明授权一种去除多晶缺陷的高品质单晶金刚石制备方法是由冯曙光;黄其荣;于金凤设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种去除多晶缺陷的高品质单晶金刚石制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于金刚石制备领域，公开了一种去除多晶缺陷的高品质单晶金刚石制备方法。通过丝网印刷、等离子体辅助刻蚀，实现氧化铈对黑色点状多晶周围的100面的定向刻蚀，刻蚀出正方形凹槽，之后再将氧化铁或氧化镍的浆料通过丝网印刷，将黑色点状多晶用上述浆料覆盖，在通过等离子体辅助刻蚀，实现对黑色点状多晶的定点清除，之后通过横向生长工艺将刻蚀出的凹槽生长填平，可很好的将生长缺陷除去长出品质较好的单晶金刚石。本发明可大大减少单晶金刚石产品的废品率，提高单晶金刚石的利用率。有利于节约生产成本，提高效益。

本发明授权一种去除多晶缺陷的高品质单晶金刚石制备方法在权利要求书中公布了：1.一种去除多晶缺陷的高品质单晶金刚石的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将松油醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、氧化铈粉末按质量比4~8：1~3：1~3：3~5配置成有机浆料；将清洗后的单晶金刚石籽晶置于网板之下，单晶金刚石籽晶的黑色点状多晶对准网孔进行第一次丝网印刷，网孔形状为正方形，网孔的尺寸大于黑色点状多晶，依次在单晶金刚石籽晶的黑色点状多晶上覆盖一层有机浆料，厚度为2~5微米； 2将第一次丝网印刷后的单晶金刚石籽晶烘干； 3将烘干后的单晶金刚石籽晶依次进行第一次氧刻蚀、第一次等离子体与金属活性催化刻蚀、第一次等离子刻蚀，得第一次刻蚀后的单晶金刚石籽晶； 4清洗第一次刻蚀后的单晶金刚石籽晶，并吹干； 5将松油醇、丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二丁酯、氧化铁或氧化镍按质量比4~8：1~3：1~3：3~5配置成有机浆料；将经步骤4处理后的单晶金刚石籽晶置于网板之下，黑色点状多晶对准网孔进行丝网印刷，网孔的尺寸大于黑色点状多晶，网孔尺寸小于第一次丝网印刷的网孔尺寸，依次在已进行第一次丝网印刷的单晶金刚石籽晶的黑色点状多晶处上再覆盖一层有机浆料，厚度为2~5微米； 6将第二次丝网印刷后的单晶金刚石籽晶烘干； 7将烘干后的单晶金刚石籽晶依次进行第二次氧刻蚀、第二次等离子体与金属活性催化刻蚀、第二次等离子刻蚀，得第二次刻蚀后的单晶金刚石籽晶； 8清洗第二次刻蚀后的单晶金刚石籽晶，并吹干； 9将经步骤8处理后的籽晶依次进行刻蚀、生长； 10生长完成后，在步骤9生长温度的基础上升高100~150℃，保温1~2h，然后降温至室温，得单晶金刚石； 其中，步骤3具体为： S31.第一次氧刻蚀：气氛为氧气、氩气、空气中的至少一种，压强为5~10KPa，温度200~500℃，刻蚀时间5~10min； S32.第一次等离子体与金属活性催化刻蚀：气氛为氢气、氮气、氩气的混合气氛，体积比为5~8:3:2，压强为8~15KPa，温度500~900℃，刻蚀时间10~120min； S33.第一次等离子刻蚀：气氛为氧气、氩气、氮气、空气、一氧化碳中的至少一种，压强为5~10KPa，温度200~500℃，刻蚀时间5~40min； 步骤7具体为： S71.第二次氧刻蚀：气氛为氧气、氩气、空气中的至少一种，压强为5~10KPa，温度200~500℃，刻蚀时间5~10min； S72.第二次等离子体与金属活性催化刻蚀：气氛为氢气、一氧化碳、氩气、氦气中的至少一种，压强为8~15KPa，温度500~900℃，刻蚀时间10~120min； S73.第二次等离子刻蚀：气氛为氧气、氩气、氮气、空气、一氧化碳中的至少一种，压强为5~10KPa，温度200~500℃，刻蚀时间5~40min。

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