绍兴中芯集成电路制造股份有限公司隋欢获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利MEMS麦克风的制备方法及MEMS麦克风获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116170737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211719757.7，技术领域涉及：H04R31/00；该发明授权MEMS麦克风的制备方法及MEMS麦克风是由隋欢;闾新明设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS麦克风的制备方法及MEMS麦克风在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种MEMS麦克风的制备方法及MEMS麦克风，通过提供衬底，衬底包括导电区域；形成从衬底的表面延伸至内部的凹槽；在衬底上沉积绝缘材料，形成填充在凹槽内的绝缘隔离结构；在衬底上形成振膜和背板，振膜和背板用于构成可变电容；形成与导电区域导电连接的第一电极、与振膜导电连接的第二电极以及与背板导电连接的第三电极；其中，第二电极在衬底的表面上的垂直投影与凹槽的形成位置至少部分重合；如此，利用绝缘隔离结构改善第一电极与第二电极之间的寄生电容问题，提高了MEMS麦克风的灵敏度。
本发明授权MEMS麦克风的制备方法及MEMS麦克风在权利要求书中公布了：1.一种MEMS麦克风的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，所述衬底包括导电区域； 形成从所述衬底的表面延伸至内部的凹槽，所述凹槽的深度大于或等于所述导电区域的深度，所述凹槽的形成位置位于所述导电区域的范围内； 在所述衬底上沉积绝缘材料，形成填充在所述凹槽内的绝缘隔离结构； 在所述衬底上形成振膜和背板，所述振膜和所述背板用于构成可变电容； 形成与所述导电区域导电连接的第一电极、与所述振膜导电连接的第二电极以及与所述背板导电连接的第三电极； 其中，所述第二电极在所述衬底的所述表面上的垂直投影与所述凹槽的形成位置至少部分重合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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