杭州睿昇半导体科技有限公司董久琪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州睿昇半导体科技有限公司申请的专利一种单晶硅零部件的高效湿法蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310052417.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种单晶硅零部件的高效湿法蚀刻方法是由董久琪;陈燕;丁鼎设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶硅零部件的高效湿法蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单晶硅零部件的高效湿法蚀刻方法，包括：步骤S1，将单晶硅零部件倾斜至第一水平角，将清洗溶液从所述单晶硅零部件的最上端喷淋，以冲洗所述单晶硅零部件正面；步骤S2，将冲洗后的所述单晶硅零部件竖直置入至少一个具有蚀刻溶液的循环池中浸泡，以对所述单晶硅零部件正面进行湿法蚀刻；步骤S3，将所述单晶硅零部件提离蚀刻溶液后倾斜至第二水平角，将清洗溶液从所述单晶硅零部件的最上端喷淋，以冲洗所述单晶硅零部件正面的残留，本发明一种单晶硅零部件的高效湿法蚀刻方法，单晶硅零部件作为分隔与被蚀刻结构设置于循环池内，利用曝气的方式可促进浸泡溶液流动，可与单晶硅零部件表面反应，反应迅速、稳定、充分。
本发明授权一种单晶硅零部件的高效湿法蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅零部件的高效湿法蚀刻方法，其特征在于，包括： 步骤S1，将单晶硅零部件倾斜至第一水平角，将清洗溶液从所述单晶硅零部件的最上端喷淋，以冲洗所述单晶硅零部件正面； 步骤S2，将冲洗后的所述单晶硅零部件竖直置入至少一个具有蚀刻溶液的循环池中浸泡，以对所述单晶硅零部件正面进行湿法蚀刻； 步骤S3，将所述单晶硅零部件提离蚀刻溶液后倾斜至第二水平角，将清洗溶液从所述单晶硅零部件的最上端喷淋，以冲洗所述单晶硅零部件正面的残留； 所述第二水平角大于第一水平角； 其中，所述步骤S2包括： 步骤S21，将冲洗后的所述单晶硅零部件完全没入具有氢氟酸的循环池中浸泡，以侵蚀所述单晶硅零部正面； 步骤S22，向所述具有氢氟酸的循环池底部一侧曝气，以在所述单晶硅零部件两侧形成氢氟酸流体循环，静置30s～300s； 步骤S23，将所述单晶硅零部件提离氢氟酸溶液，静置沥干。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州睿昇半导体科技有限公司，其通讯地址为：311106 浙江省杭州市临平区临平街道南公河路9号1幢1楼101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励