江苏天芯微半导体设备有限公司叶斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏天芯微半导体设备有限公司申请的专利一种晶圆表面处理工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310100714.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种晶圆表面处理工艺是由叶斌;李哲设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆表面处理工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆表面处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：a提供外延设备，所述外延设备包括外延腔室、上灯组和下灯组，所述上灯组设置于外延腔室上方，下灯组设置于外延腔室下方；b将晶圆传送至所述外延设备，通入清洁气体对晶圆进行表面清洁，其中所述表面清洁步骤中，所述外延设备的下灯组的功率占比为55‑90％。本发明的处理工艺可以抑制弛豫的发生，保证晶圆表面的晶体结构的质量。
本发明授权一种晶圆表面处理工艺在权利要求书中公布了：1.一种晶圆表面处理工艺，其特征在于，包括以下步骤： a对晶圆进行预清洁，所述预清洁通过向预清洁设备中通入预清洁气体进行；所述预清洁气体包括含氟气体、含氮氢气体和稀有气体； 提供外延设备，所述外延设备包括外延腔室、上灯组和下灯组，所述上灯组设置于外延腔室上方，下灯组设置于外延腔室下方； b将晶圆传送至所述外延设备，通入清洁气体对晶圆进行表面清洁，以移除晶圆表面的多晶；所述清洁气体包括含氯气体；其中所述表面清洁步骤中，所述外延设备的下灯组的功率占比为55-90％，表面清洁的工艺温度为605-710℃； c执行外延工艺，所述外延工艺在所述外延设备内进行。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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