威比特纳诺有限公司L·达冈获国家专利权
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龙图腾网获悉威比特纳诺有限公司申请的专利用于低电压存储器位线和字线解码器的绝缘体上硅电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211473191.4，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权用于低电压存储器位线和字线解码器的绝缘体上硅电路是由L·达冈设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于低电压存储器位线和字线解码器的绝缘体上硅电路在说明书摘要公布了：存储器，包括具有多个位线输入和多个字线输入的存储器阵列；位线解码器；并且提供了控制电路。该位线解码器包括第一电路和第二电路，该第二电路包括多个低电压场效应晶体管FET。控制电路以预脉冲阶段、脉冲阶段和后脉冲阶段的顺序向多个低电压FET提供控制信号，其中在脉冲阶段，第一电路和第二电路接收期望电压。控制电路以不大于在脉冲前阶段和脉冲后阶段的低电压的电压向多个低电压FET提供控制信号。在绝缘体上硅SOI技术中，在位线解码器和字线解码器中使用低电压FET减小了存储器阵列的外围电路的面积，而不需要改变存储器阵列本身。
本发明授权用于低电压存储器位线和字线解码器的绝缘体上硅电路在权利要求书中公布了：1.一种存储器，包括： 存储器阵列，其具有多个位线输入和多个字线输入； 位线解码器，其具有多个位线输出，每个位线输出通信地连接到所述存储器阵列的对应位线输入， 其中该位线解码器包含多个位线电压供应电路，其中每个位线电压供应电路包括第一电路和第二电路，所述第一电路包括与第一导电类型的至少一个第二低电压场效应晶体管FET串联连接的所述第一导电类型的第一低电压FET，所述第二电路包括与第二导电类型的至少一个第四低电压FET串联连接的所述第二导电类型的第三低电压FET，其中所述第一电路连接到所述位线输出和高电压供应输入，并且其中所述第二电路连接到所述位线输出和所述高电压供应输入；以及 控制电路，其具有多个控制线，所述控制电路适配成将控制信号提供到以下各项中的至少一者：所述第一低电压FET、所述至少一个第二低电压FET、所述第三低电压FET和所述至少一个第四低电压FET，其中所述控制电路以前脉冲阶段、脉冲阶段和后脉冲阶段的序列提供所述控制信号，其中在所述脉冲阶段，所述第一电路和所述第二电路在所述高电压供应输入处接收期望电压。
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