中国科学院半导体研究所朱礼军获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利制备铂基高自旋霍尔角材料的方法、合金薄膜及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116145262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211258641.8，技术领域涉及：C30B29/52；该发明授权制备铂基高自旋霍尔角材料的方法、合金薄膜及应用是由朱礼军;林鑫设计研发完成，并于2022-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备铂基高自旋霍尔角材料的方法、合金薄膜及应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种制备铂基高自旋霍尔角材料的方法、合金薄膜及应用，该方法，包括在铂基金属膜的生长过程中，通过添加杂质，使杂质与铂形成具有多晶或单晶结构的合金薄膜；其中，杂质为非铂的金属、金属的碳化物、金属的氮化物或金属的氧化物以及硅或硅的化合物中的一种或多种；杂质的体积百分比为1％‑60％；铂基金属膜中的铂用于提供自旋霍尔效应；杂质用于增强铂基金属膜中铂的电子散射和电阻率。本发明提供合金薄膜具有低电阻率、巨大自旋霍尔角、均匀平整、成本低廉、结构和性质稳定、兼容集成电路和CMOS半导体工艺等优势。基于该合金薄膜发展的磁随机存储器、振荡器、逻辑器件、赛道存算器件等器件，具有高能效、长寿命、低阻抗等优点。
本发明授权制备铂基高自旋霍尔角材料的方法、合金薄膜及应用在权利要求书中公布了：1.一种铂基高自旋霍尔角材料的制备方法，包括： 在铂基金属膜的生长过程中，通过添加杂质，使所述杂质与铂形成具有多晶或单晶结构的合金薄膜； 其中，所述杂质具体为Si3N4、AlN、GaN、SiC中的一种或多种； 所述杂质的体积百分比为1%-60％； 所述铂基金属膜中的铂用于提供自旋霍尔效应； 所述杂质用于增强所述铂基金属膜中铂的电子散射和电阻率。
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