中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利光刻胶组合物、近场表层成像的图案形成方法及沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116088270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310102886.X，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权光刻胶组合物、近场表层成像的图案形成方法及沉积设备是由罗先刚;杨东旭;苏凯欣;龙治行;赵泽宇;高平设计研发完成，并于2023-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻胶组合物、近场表层成像的图案形成方法及沉积设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种光刻胶组合物、近场表层成像的图案形成方法及沉积设备，光刻胶组合物包括：溶剂；分子玻璃化合物，为接枝有重氮萘醌的杯芳烃衍生物，作为成膜组分和光敏组分；亲和抑制剂，至少用于保护光刻胶组合物中的羟基，以提高图案形成过程中曝光区与非曝光区的对比度。本公开的光刻胶组合物利用近场光刻可以在光刻胶全厚度范围内进行曝光，实现高分辨图形成像。
本发明授权光刻胶组合物、近场表层成像的图案形成方法及沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种近场表层成像的图案形成方法，其特征在于，包括： S1，将光刻胶组合物涂覆于衬底上，形成光刻胶层；所述光刻胶层包括分子玻璃化合物、亲和抑制剂和溶剂；所述分子玻璃化合物为接枝有重氮萘醌的杯芳烃衍生物，作为成膜组分和光敏组分，所述亲和抑制剂至少用于保护光刻胶组合物中的羟基，以提高图案形成过程中曝光区与非曝光区的对比度；所述亲和抑制剂为接枝有重氮萘醌的三酚A；所述亲和抑制剂中重氮萘醌的接枝率为70%~100%；所述亲和抑制剂的分子量为900~1200；所述亲和抑制剂的结构式为下式Ⅱ： 式Ⅱ； S2，利用近场光刻对所述光刻胶层进行曝光，曝光区中所述光刻胶层的表层感光固化； S3，在所述光刻胶层上选择性地沉积硬掩模前驱体，加热使所述曝光区中所述硬掩模前驱体与所述光刻胶层结合，同时所述亲和抑制剂用于抑制非曝光区中所述硬掩模前驱体与所述光刻胶层的结合； S4，对沉积后的光刻胶层进行轻度刻蚀，以去除所述曝光区残留的有机物并使所述曝光区上沉积的所述硬掩模前驱体氧化形成硬掩模层； S5，对所述光刻胶层进行深度刻蚀，选择性地蚀刻掉未被硬掩模层保护的非曝光区的光刻胶层，得到高分辨成像图案。
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