上海华虹宏力半导体制造有限公司张伟岩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013386B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310089446.5，技术领域涉及：G11C16/06；该发明授权快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法是由张伟岩设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器参考电流的温度系数的调节方法，包括：将存储单元的所有cell按照读取电流大小分为第一组cell和第二组cell，其中，第一组cell的读取电流大于第二组cell的读取电流；将参考单元作为第三组cell；量测第二组cell温度系数；查找第三组cell中bit位为0的MOS管作为待调节MOS管；调节待调节MOS管的栅源电压和或阈值电压，以使得第三组cell的电流的温度系数与第二组cell的平均电流的温度系数相同。本发明调节了参考单元的温度系数，使得尾部cell的电流温度系数与参考单元的电流温度系数相同，从而使得参考单元的电流和尾部cell的电流是随温度同步变化的。
本发明授权快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法在权利要求书中公布了：1.一种快闪存储器参考电流的温度系数的调节方法，其特征在于，包括： 将存储单元的所有cell按照读取电流大小分为第一组cell和第二组cell，其中，所述第一组cell的读取电流大于所述第二组cell的读取电流，将参考单元作为第三组cell； 量测所述第二组cell的温度系数； 查找所述第三组cell中bit位为0的MOS管作为待调节MOS管； 调节所述待调节MOS管的栅源电压和或阈值电压，以使得所述第三组cell的电流的温度系数与所述第二组cell的平均电流的温度系数相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励