联合微电子中心有限责任公司张栖瑜获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利一种栅极硬掩膜层的去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211525724.9，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种栅极硬掩膜层的去除方法是由张栖瑜;司静;傅怡;宁宁;曾朝娇设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种栅极硬掩膜层的去除方法在说明书摘要公布了：本发明的栅极硬掩膜层的去除方法，在栅极的氧化物硬掩膜层去除前，通过形成一层具有高填充能力的有机绝缘层，将氧化物硬掩膜层和有源区覆盖，采用回蚀工艺刻蚀至氧化物硬掩膜层裸露，在氧化物硬掩膜层和有机绝缘层上覆盖光刻胶层，使得光刻胶层和有机绝缘层趋于平坦化，再通过曝光、显影以显露氧化物硬掩膜层，然后通过干法刻蚀或湿法刻蚀工艺去除栅极上方的氧化物硬掩膜层，最后去除有源区上方的光刻胶层和有机绝缘层。本发明使得第一栅极之间不会产生孔洞，消除了由于衬底上不同图形密度所造成有机绝缘层的厚度不同导致的对有源区产生损伤的可能，且在氧化物硬掩膜层刻蚀的过程中不会产生硬掩膜残留，提高器件产品的可靠性和良率。
本发明授权一种栅极硬掩膜层的去除方法在权利要求书中公布了：1.一种栅极硬掩膜层的去除方法，其特征在于，所述去除方法包括以下步骤： 提供具有半导体衬底、栅极和有源区的半导体基底，且所述栅极上形成有自下而上叠置的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，所述栅极包括第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极之间具有第一间距，所述第二栅极之间具有第二间距，且所述第一间距小于所述第二间距； 于所述半导体衬底上形成有机绝缘层，所述有机绝缘层高于所述第二硬掩膜层且覆盖所述有源区、所述第一栅极以及所述第二栅极； 去除部分所述有机绝缘层以显露所述第二硬掩膜层； 于剩余所述有机绝缘层上方形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述第二硬掩膜层和所述有机绝缘层，形成平坦化表面； 去除所述第二硬掩膜层上方的光刻胶层，显露所述第二硬掩膜层的顶面； 以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀去除所述第二硬掩膜层以显露所述第一硬掩膜层； 去除所述有源区上的光刻胶层和有机绝缘层。
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