深圳大学刘新科获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种基于氮化镓单晶衬底的混维异质结光电二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863488B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211716039.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种基于氮化镓单晶衬底的混维异质结光电二极管的制备方法是由刘新科;蒋忠伟;林锦沛;张雅婷;贺威;方明;黄双武;黎晓华设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氮化镓单晶衬底的混维异质结光电二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种基于氮化镓单晶衬底的混维异质结光电二极管的制备方法，包括：在氮化镓单晶衬底上外延生长轻掺n型氮化镓外延层，双面抛光后清洗，吹干；采用三温区管式炉在器件表面沉积p型二维材料层MoxRe1‑xS2，旋涂光刻胶，进行掩膜曝光图案，显影去胶后暴露图案部分的二维材料，将暴露的二维材料进行刻蚀暴露出紫外吸收层并形成台阶；在单晶衬底的底部蒸镀金属膜，形成电极后退火，形成底部电极；在器件顶部表面旋涂光刻胶进行紫外掩膜曝光图案，显影去胶，暴露出顶部方形电极图案，在表面蒸镀金属膜，掀金去胶后形成顶部电极。该方法降低了反向暗电流；促进了光生载流子分离，具有高整流比和高光开光比，实现紫外到可见光宽光谱范围的探测。
本发明授权一种基于氮化镓单晶衬底的混维异质结光电二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓单晶衬底的混维异质结光电二极管的制备方法，包括： 在氮化镓单晶衬底上外延生长轻掺n型氮化镓外延层，双面抛光后清洗，吹干； 采用三温区管式炉在器件表面沉积p型二维材料层MoxRe1-xS2，旋涂光刻胶，进行掩膜曝光图案，显影去胶后暴露图案部分的二维材料，将暴露的二维材料进行刻蚀暴露出氮化镓紫外吸收层并形成台阶； 在单晶衬底的底部蒸镀金属膜，形成电极后退火，形成底部电极； 在器件顶部表面旋涂光刻胶进行紫外掩膜曝光图案，显影去胶，暴露出顶部方形电极图案，在表面蒸镀金属膜，掀金去胶后形成顶部电极；其中，顶部电极包括四个，两个所述顶部电极置于所述p型二维材料层MoxRe1-xS2之上，另外两个所述顶部电极置于所述轻掺n型氮化镓外延层之上。
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