天狼芯半导体(成都)有限公司赵昕获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211412964.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法是由赵昕;黄汇钦设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种MOSFET及其制作方法，其中，MOSFET包括至少一个晶体管单元，所述至少一个晶体管单元包括：漂移区20；在漂移区20的第一表面201形成的第一沟槽110；通过在填充于第一沟槽110中的多晶硅22的第一表面2201进行离子注入形成的第一多晶硅层222和第二多晶硅层42。本发明实施例提供的MOSFET及其制作方法，设计了一种HJD与VU‑MOSFET单片集成的MOSFET，降低了制作难度。
本发明授权金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应晶体管为垂直沟槽型，包括至少一个晶体管单元，所述至少一个晶体管单元包括： 漂移区20； 在漂移区20的第一表面201的一侧边缘区域进行离子注入形成的P阱区151； 在漂移区20的第一表面201的另一侧边缘区域的两端分别进行离子注入形成的P+区152； 在两个P+区152之间形成的第一沟槽110； 在P阱区151和P+区152之间形成的第二沟槽120； 通过在填充于第一沟槽110中的多晶硅22的第一表面2201进行离子注入形成的第一多晶硅层222和第二多晶硅层42，第一多晶硅层222和第二多晶硅层42为不同掺杂类型，构成异质结二极管； 形成于第二沟槽120侧壁和底部的栅氧层12，栅氧层12的厚度适于第二沟槽120尺寸，使得在形成栅氧层12之后，保留第一剩余沟槽120’； 形成于第一剩余沟槽120’底部的第三多晶硅层221，第三多晶硅层221的厚度适于第一剩余沟槽120’尺寸，使得在形成第三多晶硅层221之后，保留第二剩余沟槽120’’； 填充于第二剩余沟槽120’’的第四多晶硅层41。
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