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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211661483.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备法是由张保平;徐欢;李青璇;许荣彬;梅洋;应磊莹;郑志威设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：选用一外延层，该外延层从下到上依次包括衬底、N型氮化物、有源区和P型氮化物；在P型氮化物上表面中部的电流注入孔位置生长金属掩膜层；通过高能粒子均匀地辐照P型氮化物的上表面，使辐照区形成电流限制层；去除金属掩膜层，并在电流注入孔上表面依次生长透明导电层和第一分布布拉格反射镜；在透明导电层和第一分布布拉格反射镜的外表面及电流限制层的上表面生长第一电极，并翻转后转移到支撑基板上；去除衬底，将N型氮化物进行减薄抛光，并在N型氮化物的上表面中部生长第二分布布拉格反射镜，其上表面两侧生长第二电极。本发明工艺简单，散热性好。

本发明授权一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备法在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤A1、选用一外延层，该外延层从下到上依次包括衬底、N型氮化物、有源区和P型氮化物；所述有源区为氮化镓、氮化铟和氮化铝中至少两种材料混合而成的量子阱或量子点发光结构，所述P型氮化物为氮化镓、氮化铟和氮化铝中至少一种；所述N型氮化物为氮化镓、氮化铟和氮化铝中至少一种； 步骤A2、在所述P型氮化物上表面中部的电流注入孔位置生长金属掩膜层； 步骤A3、通过高能粒子均匀地辐照所述P型氮化物的上表面，使辐照区形成电流限制层，所述电流限制层和P型氮化物的材料相同； 步骤A4、去除所述金属掩膜层，并在电流注入孔上表面依次生长透明导电层和第一分布布拉格反射镜； 步骤A5、在所述透明导电层和第一分布布拉格反射镜的外表面及电流限制层的上表面生长第一电极，并翻转后转移到支撑基板上； 步骤A6、去除所述衬底，将N型氮化物进行减薄抛光，并在所述N型氮化物的上表面中部生长第二分布布拉格反射镜，其上表面两侧生长第二电极。

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