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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利碳化硅的氧化方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115705997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110914005.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权碳化硅的氧化方法及其应用是由张耀辉;张学渊设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅的氧化方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅的氧化方法及其应用。所述碳化硅的氧化方法包括：使氧源气体与碳化硅材料在1000‑1400℃的温度条件下接触进行热氧化反应，从而在碳化硅材料表面形成预定厚度的氧化层，所述氧源气体包括氧气、含氧气体或水蒸气；以及，在所述的热氧化反应结束之后，将碳化硅材料快速降温至300℃以下。发明实施例提供的一种SiC的氧化方法采用快速升降温和低压氧化的方法，解决了SiCSiO2界面的C沾污问题，从而达到减少界面态，提升SiCSiO2的界面特性的目的。

本发明授权碳化硅的氧化方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅的氧化方法，其特征在于包括： 将碳化硅材料置入反应室； 向反应室内输入保护性气体以隔绝氧气和水蒸气，保持反应室内的压力在1.05atm以上，使反应室内的温度以10-50℃s的升温速率升至1200-1400℃，然后向反应室内输入被预热至1200-1400℃的氧源气体，使氧源气体与碳化硅材料接触进行热氧化反应，从而在碳化硅材料表面形成预定厚度的氧化层； 在所述的热氧化反应结束后，在保持反应室内温度不变的情况下，停止向反应室内输入氧源气体，同时向反应室内输入被预热至1200-1400℃的保护性气体，对反应室进行排氧； 停止对反应室的加热，并向反应室内输入室温的保护性气体，以将碳化硅材料以100-400℃s的降温速率降温至300℃以下； 或者，对反应室抽真空以隔绝氧气和水蒸气； 使反应室内的温度以10-50℃s的升温速率升至1000-1400℃，在真空环境下对碳化硅材料加热，并使其温度快速升至1000-1400℃，然后向反应室内输入被预热至1000-1400℃的氧源气体，使氧源气体与碳化硅材料接触进行热氧化反应，从而在碳化硅材料表面形成预定厚度的氧化层； 在所述的热氧化反应结束后，在保持反应室内温度不变的情况下，停止向反应室内输入氧源气体，同时对反应室再次抽真空； 停止对反应室的加热，并向反应室内输入作为冷却介质的气体，以将碳化硅材料以100-400℃s的降温速率降温至300℃以下； 其中，所述氧源气体包括氧气、含氧气体或水蒸气。

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